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图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
500
1000
1500
2000
2500
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-source voltage (v)
一个
V=0V,         f =1MHz
C=C+ c,   c     sHORTED
C=C
C=C+ c
GS
是s         gsgdds
rssgd
oss        ds         gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 10203040506070
Q, total gateCh一个rge (nc)
G
v     , gate-至-source voltage(v)
GS
一个
为 测试 电路
S EE图URE13
V=44V
V=28V
DS
DS
i    = 25一个
D
1
10
100
1000
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
t  =25°C
J
V=0V
GS
v     , 源-至-流 电压 (v)
i     , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
一个
t  = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100
V, drain-至-sourceVoltage (v)
DS
i   , 流 电流 (一个)
OPERATION在 这个一个REALIMITE D
By r
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
t     =25°C
t     =175°C
Sin
gle P u ls e
C
J

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irfr/u1205 4 www.irf.com 图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 7. 典型源-流二极管向前电压 0 500 1000 1500 2000 2500 1 10 100 c, 电容 (pf) DS V, drain-至-source voltage (v) 一个 V=0V, f =1MHz C=C+ c, c sHORTED C=C C=C+ c GS 是s gsgdds rssgd oss ds gd C iss C oss C rss 0 4 8 12 16 20 0 10203040506070 Q, total gateCh一个rge (nc) G v , gate-至-source voltage(v) GS 一个为测试电路 S EE图URE13 V=44V V=28V DS DS i = 25一个 D 1 10 100 1000 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 t =25°C J V=0V GS v , 源-至-流电压 (v) i , 反转流电流 (一个) SD SD 一个 t = 175°c J 1 10 100 1000 1 10 100 V, drain-至-sourceVoltage (v) DS i , 流电流 (一个) OPERATION在这个一个REALIMITE D By r D ds(在) 10µs 100µs 1ms 10ms 一个 t =25°C t =175°C Sin gle P u ls e C J

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