pd - 9.1253
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
IRFU2605
IRFR2605
V
DSS
= 55v
R
ds(在)
= 0.075
Ω
I
D
= 19a
过激 低 在-阻抗
静电释放 保护
表面 挂载 (irfr2605)
笔直地 含铅的 (irfu2605)
150°c 运行 温度
repetitive avalanche 评估
快 切换
描述
fourth 一代 hexfets 从 国际的 整流器 utilize 先进的
处理 技巧 那 达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围
和 准许 静电的 释放 保护 至 是 整体的 在 这 门 结构.
这些 益处, 联合的 和 这 加固 设备 设计 那 hexfets 是
知道 为, 提供 这 设计者 和 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用
在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 d-pak 是 设计 为 表面 挂载 使用 vapor 阶段, infrared, 或者 波
焊接 技巧. 这 笔直地 含铅的 版本 (irfu 序列) 是 为 通过-孔
挂载 产品. 电源 消耗 水平 向上 至 1.5 watts 是 可能 在
典型 表面 挂载 产品.
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 19
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 12 一个
I
DM
搏动 流 电流 76
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 50
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 (pcb 挂载)** 3.1
直线的 减额 因素 0.40
直线的 减额 因素 (pcb 挂载)** 0.025
V
GS
门-至-源 电压 ±20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力 100 mJ
I
AR
avalanche 电流 12 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力 5.0 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt 4.5 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和存储 温度 范围 -55 至 + 150
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况)
V
静电释放
人 身体 模型, 100pf, 1.5k
Ω
2000 V
热的 阻抗
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 — — 2.5
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)** — — 40 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 — — 62
** 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料).
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
w/°c
W
°C
G
D
S
D-PAK
TO-252AA
I-PAK
TO-251AA
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