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资料编号:1086663
 
资料名称:IRFR5410
 
文件大小: 220208K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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0.1
1
10
100
0.2 0.8 1.4 2.0 2.6
-v ,源-至-流 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
0
400
800
1200
1600
2000
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-v , 流-至-源 电压 (v)
v = 0v, f = 1mhz
c = c + c , c 短接
c = c
c = c + c
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0 10 20 30 40 50 60
0
5
10
15
20
q , 总的 门 承担 (nc)
-v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
为 测试 电路
看 图示
I =
D
13
-8.4a
V =-20v
DS
V =-50v
DS
V =-80v
DS
1
10
100
1000
1 10 100 1000
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
C
-v , 流-至-源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
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