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资料编号:1086847
 
资料名称:IRGPC50F
 
文件大小: 116490K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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c-88
IRGPC50F
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) 84 100 I
C
= 39a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在) 20 25 nC V
CC
= 400v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) 51 67 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 24 T
J
= 25°c
t
r
上升 时间 50 ns I
C
= 39a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 270 540 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
f
下降 时间 210 360 活力 losses 包含 "tail"
E
转变-在 切换 丧失 1.7
E
转变-止 切换 丧失 4.3 mJ 看 图. 9, 10, 11, 14
E
ts
总的 切换 丧失 6.0 9.0
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 25 T
J
= 150°c,
t
r
上升 时间 49 ns I
C
= 39a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 440 V
GE
= 15v, r
G
= 5.0
t
f
下降 时间 410 活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失 9.0 mJ 看 图. 10, 14
L
E
内部的 发射级 电感 13 nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容 3000 V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 340 pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容 40 ƒ = 1.0mhz
注释:
V
CC
=80%(v
CES
), v
GE
=20v, l=10µh,
R
G
= 5.0
, ( 看 图. 13a )
repetitive 比率; v
GE
=20v, 脉冲波 宽度
限制 用 最大值 接合面 温度.
( 看 图. 13b )
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制
用 最大 接合面 温度.
脉冲波 宽度
80µs; 职责 因素
0.1%.
脉冲波 宽度 5.0µs,
单独的 shot.
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 600 V V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ecs
发射级-至-集电级 损坏 电压 20 V V
GE
= 0v, i
C
= 1.0a
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压 0.62 v/°c V
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 1.4 1.7 I
C
= 39a V
GE
= 15v
2.0 V I
C
= 70a 看 图. 2, 5
1.7 I
C
= 39a, t
J
= 150°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 5.5 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 -14 mv/°c V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导 21 30 S V
CE
= 100v, i
C
= 39a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流 250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
2000 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ±100 nA V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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