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资料编号:1086847
 
资料名称:IRGPC50F
 
文件大小: 116490K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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c-89
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(为 正方形的 波, i=i
RMS
的 基本的; 为 triangular 波, i=i
PK
)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
IRGPC50F
0
2 0
4 0
6 0
8 0
0 .1 1 1 0 1 0 0
LO 一个 D C U RR E N T (一个 )
f,F re quency (kH z)
60 % ofr一个 ted
vo lt一个 g e
Ide 一个ldiod es
S q u一个 re w 一个v e :
Fo rboth:
D u ty c yc le :5 0 %
T= 1 25 ° C
T= 9 0 °C
G 一个 te d riv e 一个 s s p e c ifie d
s in k
J
Po w e rD issip 一个tio n = 4 0 W
Tr i一个 ng ul一个rw 一个ve :
C l一个 m p v o lt一个 g e :
80 % o fr一个 te d
1
1 0
1 0 0
1 0 0 0
0 .1 1 1 0
C E
C
I,C o lle c r-至-e m terC urren t (一个)
V ,C o llector-to-E m itterV olt一个ge(V )
T= 1 5 0 ° C
T= 2 5 °C
J
J
V = 1 5 V
2 0 µ s P U L S E W ID TH
G E
1
1 0
1 0 0
1 0 0 0
5 1 0 1 5 2 0
C
i , c olle cr- -e m itter c u rre nt(一个 )
V ,G 一个te -to-E m itterV olt一个 ge (V )
G E
T= 2 5 ° C
T=1 5 0 ° C
J
J
V = 1 0 0 V
5µ sP U L S E W IDTH
C C
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