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资料编号:1086847
 
资料名称:IRGPC50F
 
文件大小: 116490K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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c-90
图. 5
- 集电级-至-发射级 电压 vs.
情况 温度
图. 4
- 最大 集电级 电流 vs.
情况 温度
IRGPC50F
图. 6
- 最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-情况
1 .0
1 .5
2 .0
2 .5
3 .0
-6 0 -4 0 -2 0 0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0 1 2 0 1 4 0 1 6 0
T ,C 一个seT em per一个ture(°C )
C
C E
V ,C olle c r- -e m itterV o ltag e(v )
V = 1 5 V
8 0 µ s P UL S E W ID T H
G E
I= 7 8 一个
I= 3 9 一个
I= 2 0 一个
C
C
C
0
1 0
2 0
3 0
4 0
5 0
6 0
7 0
2 5 5 0 7 5 1 0 0 1 2 5 1 5 0
M 一个ximu m D C C o lle ctorC u rre nt(一个 )
T ,C 一个seT em per一个ture(°C )
C
V = 15 V
G E
0 .0 1
0 .1
1
0 .0 0 0 0 1 0 .0 0 0 1 0 .0 0 1 0 .0 1 0 .1 1 1 0
t,R ect一个ngu l一个rP ulseD u r一个tion(sec)
1
thJ C
D = 0 .5 0
0 .0 1
0 .0 2
0 .0 5
0 .1 0
0 .2 0
S ING L E P U L S E
(TH E R M 一个 L R E S PO N S E)
T he rm 一个 lR e sp o n s e(Z)
P
t
2
1
t
DM
N o te s :
1 .D u ty f一个 c to r D = t/t
2 .P e 一个 k T = P x Z + T
1 2
J
D M
th J C
C
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