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资料编号:1087593
 
资料名称:2SC2911
 
文件大小: 44688K
   
说明
 
介绍:
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
 
 


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非.779-4/5
2sa1209/2sc2911
V
(sat)
-- i
C
ITR03033
--1.0 --10
57
--100
7222335 75
1.0 10
57
100
7222335 75
0 20 40 60 80 100 120 160140
V
(sat)
-- i
C
P
C
--Ta
ITR03034
ITR03036
2SA1209
I
C
/ i
B
=10
--1.0
--10
3
7
5
3
2
5
7
一个 s o
ITR03035
10 100
723 5 723 5 23 5
10
2
3
5
7
100
2
3
5
2
3
5
7
0
0.2
0.4
0.8
0.6
1.2
1.0
1.0
10
3
5
7
5
3
2
7
2SC2911
I
C
/ i
B
=10
2sa1209 / 2sc2911
1ms
1s
直流 运作
I
CP
=200mA
I
C
=140mA
非 热温 下沉
0 20 40 60 80 100 120 160140
P
C
-- tc
ITR03037
0
2
4
8
6
12
10
2sa1209 / 2sc2911
2sa1209 / 2sc2911
直流 单独的 脉冲波
集电级 电流, I
C
–mA
根基-至-发射级
饱和 电压, V
(sat) V
集电级 电流, I
C
–mA
根基-至-发射级
饱和 电压, V
(sat) V
(为 pnp, minus sign 是 omitted.)
集电级 电流, I
C
–mA
集电级-至-发射级 电压, V
CE
–V
集电级 消耗, P
C
–W
包围的 温度, Ta ˚C
集电级 消耗, P
C
–W
情况 温度, Tc ˚C
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