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资料编号:1087779
 
资料名称:2SC4453
 
文件大小: 35086K
   
说明
 
介绍:
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC4453
非.2812-2/4
PS
持续 从 preceding 页.
比率
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
增益-带宽 产品 f
T
V
CE
=10v, i
C
=10mA 450 750 MHz
输出 电容 Cob V
CB
=5v, f=1mhz 1.4 4.0 pF
集电级-至-发射级 饱和 电压 V
CE
(sat) I
C
=10ma, i
B
=1mA 0.13 0.25 V
=10ma, i
B
一个, i
E
=0 40 V
集电级-至-发射级 损坏 电压 V
(br)ceo
I
C
=1ma, r
=
15 V
发射级-至-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
I
E
=10
µ
一个, i
C
=0 5 V
看 指定 测试 电路. 8.0 ns
存储 时间 t
stg
看 指定 测试 电路. 6.0 ns
下降 时间 t
f
看 指定 测试 电路. 12 ns
t
, t
测试 电路 t
stg
测试 电路
V
V
输出
3V
PW
300ns
d.c.
2%
PW
300ns
d.c.
2%
V
BB
0.1
µ
F
0.1
µ
F 0.1
µ
F
0.0023
µ
f0.0023
µ
F
0.005
µ
F 0.005
µ
F
3.3k
3.3k
50
50
220
V
V
输出
10V
0.1
µ
F
0.1
µ
F
10
µ
F10
µ
F
0.0023
µ
f0.0023
µ
F
"一个"
500
500
1k
50
90
890
11V
--10v
V
0
10%
t
stg
10%
90%
t
V
BB
=+12
V
= --15v
10% 波形 在 "一个"
V
输出
0
V
V
V
输出
V
输出
10%
90%
t
V
BB
= --3v
V
=+15V
+
++
++
抽样 oscilloscope
抽样 oscilloscope
I
B
=0
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
I
C
--V
CE
ITR06987
240
200
160
120
80
40
0.5ma
1.0ma
1.5ma
2.0ma
2.5ma
3.0ma
3.5ma
I
B
=0
4
0
048121620
I
C
--V
CE
ITR06988
20
24
8
12
16
20
µ
一个
40
µ
一个
60
µ
一个
80
µ
一个
100
µ
一个
120
µ
一个
140
µ
一个
160
µ
一个
集电级-至-发射级 电压, v
CE
--
V
集电级 电流, i
C
--
毫安
集电级-至-发射级 电压, v
CE
--
V
集电级 电流, i
C
--
毫安
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