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资料编号:1087931
 
资料名称:2SA608N
 
文件大小: 41827K
   
说明
 
介绍:
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sa608n/2sc536n
非.6324–3/4
一个 s o
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0 10 100
2537253757
IT00511
I
CP
I
C
100ms
直流 运作
10ms
500
0
400
600
300
200
100
2006040 80 100 140120 160
P
C
--Ta
IT00510
--1.0
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.01
--1.0 --10
23 57 23 57 23 57
--100 --1000
V
CE
(sat) -- i
C
IT00506
2SA608N
I
C
/ i
B
=--10
1.0
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
0.01
1.0 10
23 57 23 57 23 57
100 1000
V
CE
(sat) -- i
C
IT00507
2SC536N
I
C
/ i
B
=10
cob -- v
CB
0.1
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
--0.1
23 57 23 57 23 57
--10--1.0 --100
IT00504
2SA608N
f=1MHz
cob -- v
CB
0.1
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
0.1
23 57 23 57 23 57
101.0 100
IT00505
2SC536N
f=1MHz
f
T
-- i
C
7
3
100
2
5
7
3
2
5
10
1000
--1.0
2573
--10
2573
--100
2573
--1000
IT00502
2SA608N
V
CE
=--6v
f
T
-- i
C
7
3
100
2
5
7
3
2
5
10
1000
1.0
2573
10
2573
100
2573
1000
IT00503
2SC536N
V
CE
=6V
2sa608n / 2sc536n
2sa608n / 2sc536n
增益-带宽 产品, f
T
MHz
集电级 电流, I
C
–mA
增益-带宽 产品, f
T
MHz
集电级 电流, I
C
–mA
输出 电容, cob pF
集电级-至-根基 电压, v
CB
-- V
输出 电容, cob pF
集电级-至-根基 电压, v
CB
-- V
集电级 电流, I
C
–mA
集电级-至-发射级 电压, V
CE
–V
为 pnp, 这 极性 是 使反转.
集电级 消耗, P
C
–mW
包围的 温度, Ta ˚C
集电级 电流, I
C
–mA
集电级-至-发射级
饱和 电压, V
CE
(sat) V
集电级 电流, I
C
–mA
集电级-至-发射级
饱和 电压, V
CE
(sat) V
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