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资料编号:1087937
 
资料名称:2SC5420
 
文件大小: 70822K
   
说明
 
介绍:
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC5420
非.5762
2/4
I
B1
I
B2
V
输出
R
C
V
CC
I
B1
0.1v
输出
I
B2
V
输出
t
stg
t
f
0.9 v
输出
持续 从 preceding 页.
retemaraPlobmySsnoitidnoC
sgnitaR
tinU
nimpytxam
niaGtnerruCCD
h
EF
1V
EC
i,v5=
C
a3.0=
030405
h
EF
2
V
EC
i,v5=
C
a0.2=01
emiTegarotSt
gts
I
C
i,a5.2=
1B
i,a5.0=
2B
a0.1
=
5.2sµ
emiTllaFt
f
I
C
i,a5.2=
1B
i,a5.0=
2B
a0.1
=
51.0sµ
0246810
0
0 0.2 0.4 0.6 1.00.8 1.41.2
1
2
3
4
6
5
直流 电流 增益, h
FE
集电级 电流,i
C
一个
集电级 电流, I
C
一个
h
FE
I
C
I
B
=
0
集电级-至-发射级 电压, V
CE
V
I
C
V
CE
集电级 电流, I
C
一个
I
C
V
V
CE
(
sat
)
I
C
集电级 电流,i
C
一个
根基-至-发射级 电压, V
V
集电级-至-发射级 饱和 电压, V
ce(sat)
V
V
CE
=5V
V
CE
=5V
I
C
/
I
B
=5
Ta=120
°
C
25
°
C
40
°
C
25
°
C
40
°
C
25
°
C
120
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta=120
°
C
1.0a
0.8a
0.6a
0.4a
0.2a
2.0a
1.8a
1.6a
1.4a
1.2a
0
2
4
6
8
10
2
3
5
7
2
2
3
5
5
7
7
0.1
0.1 1.0 10
1.0
10
35723 57357
10
22
0.1 1.0
357 357 357
2
3
5
7
2
3
5
5
7
7
1.0
10
100
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