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资料编号:1087955
 
资料名称:2SA2013
 
文件大小: 51382K
   
说明
 
介绍:
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
 
 


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2sa2013/2sc5566
非.6307–4/5
f
T
-- i
C
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
--0.01
257 7 73
--0.1
253253
--1.0 --10
57
IT00166
2SA2013
V
CE
=--10v
f
T
-- i
C
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
0.01
257 7 73
0.1
253253
1.0 10
5
IT00167
2SC5566
V
CE
=10V
cob -- v
CB
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
10
0.1
23 37737755
1.0
2
10
25
100
5
IT00165
2SC5566
f=1MHz
cob -- v
CB
5
3
2
7
5
3
2
2
7
5
3
100
10
--0.1
23 757523752375
--1.0 --10 --100
IT00164
2SA2013
f=1MHz
一个 s o
10
1.0
0.01
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1.0
0.1
10 100
253725372537
I
CP
=7A
100ms
10ms
1ms
I
C
=4A
500
µ
s
100
µ
s
直流 运算
e
ration
IT00168
0
2.0
1.5
1.3
1.0
0.5
2006040 80 100 140120 160
P
C
--Ta
IT00169
2sa2013 / 2sc5566
4.0
0
3.5
3.0
2.0
1.5
1.0
0.5
2.5
2006040 80 100 140120 160
P
C
-- tc
IT01533
2sa2013 / 2sc5566
增益-带宽 产品, f
T
MHz
集电级 电流, I
C
–A
输出 电容, cob pF
集电级-至-根基 电压, v
CB
-- V
输出 电容, cob pF
集电级-至-根基 电压, v
CB
-- V
增益-带宽 产品, f
T
MHz
集电级 电流, I
C
–A
集电级 电流, I
C
–A
集电级-至-发射级 电压, V
CE
–V
集电级 消耗, P
C
–W
包围的 温度, Ta ˚C
挂载 在 一个 陶瓷的 板 (250mm
2
×
0.8mm)
集电级 消耗, P
C
–W
情况 温度, Tc ˚C
2sa2013 / 2sc5566
Tc=25
°
C
单独的 脉冲波
为 pnp, 这 minus sign 是 omitted
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