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资料编号:1087957
 
资料名称:2SA2015
 
文件大小: 51145K
   
说明
 
介绍:
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sa2015/2sc5568
非.6308–4/5
0
2.0
1.5
1.3
1.0
0.5
2006040 80 100 140120 160
P
C
--Ta
IT00205
一个 s o
10
1.0
0.01
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1.0
0.1
10
2532537
2
5
3
7
I
CP
100ms
1ms
I
C
500
µ
s
100
µ
s
直流
o
p
e
比率
n
IT00204
f
T
-- i
C
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
--0.01
2577773
--0.1
253253
--1.0 --10
5
IT00202
2SA2015
V
CE
=--10v
f
T
-- i
C
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
0.01
2577773
0.1
253253
1.0 10
5
IT00203
2SC5568
V
CE
=10V
cob -- v
CB
5
3
2
7
5
3
2
2
7
5
3
100
10
0.1 1.0 10 100
IT00201
2SC5568
f=1MHz
3725753725 3725
cob -- v
CB
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
10
37
--0.1
25753725 3725
--1.0 --10 --100
IT00200
2SA2015
f=1MHz
2sa2015 / 2sc5568
Tc=25
°
C
单独的 脉冲波
为 pnp, 这 minus sign (–) 是 omitted.
10ms
4.0
0
3.5
3.0
2.0
1.5
1.0
0.5
2.5
2006040 80 100 140120 160
P
C
-- tc
IT01534
2sa2015 / 2sc5568
2sa2015 / 2sc5568
增益-带宽 产品, f
T
MHz
集电级 电流, I
C
–A
输出 电容, cob pF
集电级-至-根基 电压, v
CB
-- V
输出 电容, cob pF
集电级-至-根基 电压, v
CB
-- V
增益-带宽 产品, f
T
MHz
集电级 电流, I
C
–A
集电级 电流, I
C
–A
集电级-至-发射级 电压, V
CE
–V
集电级 消耗, P
C
–W
包围的 温度, Ta ˚C
挂载 在 一个 陶瓷的 板 (250mm
2
×
0.8mm)
集电级 消耗, P
C
–W
情况 温度, Tc ˚C
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