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资料编号:1087965
 
资料名称:2SC5646
 
文件大小: 32475K
   
说明
 
介绍:
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
 
 


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2SC5646
非.6606-2/6
0
0
2
集电级-至-发射级 电压, v
CE
-- v
I
C
--
V
CE
集电级 电流, i
C
-- 毫安
IT02260
IT02262
IT02254
IT02261
IT02253
IT02263
4
6
8
10
1
32
4
5
0
0
根基-至-发射级 电压, v
-- v
I
C
--
V
集电级 电流, i
C
-- 毫安
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
20
30
10
10
集电级 电流, i
C
-- 毫安
h
FE
--
I
C
直流 电流 增益, h
FE
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
357
10 100
100
2
3
5
1000
7
2
3
5
7
1.0
集电级 电流, i
C
-- 毫安
f
T
-- i
C
增益-带宽 产品, f
T
-- ghz
23 57
10
23 57
100
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
100
10
0.1
0.1
集电级-至-根基 电压, v
CB
--
V
cob -- v
CB
输出 电容, cob -- pf
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
10
2
3
5
7
1.0
0.1
集电级-至-根基 电压, v
CB
--
V
cre -- v
CB
反转 转移 电容, cre -- pf
2 3 57 2 3 57
1.0
10
0.1
2
3
5
7
1.0
I
B
=0
0.05ma
0.04ma
0.03ma
0.02ma
0.01ma
V
CE
=3V
1V
V
CE
=3V
1V
V
CE
=3V
1V
f=1MHz
f=1MHz
IT02256 IT02257
S21e
2
-- i
C
1.0
集电级 电流, i
C
-- 毫安
S21e
2
-- i
C
向前 转移 增益,
S21e
2
-- db
2
3
5
7
2
3
5
7
10
100
0
2
4
6
8
18
16
14
12
10
1.0
集电级 电流, i
C
-- 毫安
向前 转移 增益,
S21e
2
-- db
10
23 5
7
23 5
7
100
0
2
4
6
8
10
12
14
18
16
f=1GHz
V
CE
=3V
1V
V
CE
=3V
1V
f=2GHz
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