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资料编号：1088090
 
资料名称：2SD2261
 
文件大小： 35011K
   
说明：
 
介绍:
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SD2261
非.5311–2/3
电的 连接
7k
Ω
C
B
E
500
Ω
013579
0
24
0.8
0.4
6
1.2
8
1.6
2.0
0.6
0.2
1.0
1.4
1.8
10
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
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I
C
--V
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5
0.1
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5
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µ
一个
140
µ
一个
I
C
--V
CE
25
°
C
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°
C
75
°
C
直流 运作
1ms
10ms
Ta=25
°
C
单独的 脉冲波
挂载 在 一个 陶瓷的 板 (250mm
2
×
0.8mm)
400
µ
一个
300
µ
一个
250
µ
一个
200
µ
一个
180
µ
一个
160
µ
一个
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B
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°
C
25
°
C
--25
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C
Ta=75
°
C
IT00003
IT00005
IT00004
IT00006
IT00007
IT00008
I
CP
I
C
集电级 电流, I
C
–A
集电级-至-发射级 电压, V
CE
–V
集电级 电流, I
C
–A
根基-至-发射级 电压, V
是
–V
直流 电流 增益, h
FE
集电级 电流, I
C
–A
集电级 电流, I
C
–A
集电级-至-发射级
饱和 电压, V
ce(sat)
–V
根基-至-发射级 饱和 电压, V
是(sat)
–V
集电级 电流, I
C
–A
集电级 电流, I
C
–A
集电级-至-发射级 电压, V
CE
–V
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