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资料编号:1088208
 
资料名称:2SK2161
 
文件大小: 98427K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Silicon MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
任何 和 所有 sanyo 产品 描述 或者 包含 在此处 做 不 有 规格 那 能 handle
产品 那 需要 极其 高 水平 的 可靠性, 此类 作 生命-支持 系统, aircraft’s
控制 系统, 或者 其它 产品 谁的 失败 能 是 合理地 预期的 至 结果 在 严重的
物理的 和/或者 材料 损坏. 咨询 和 your sanyo 代表 最近的 你 在之前 使用
任何 sanyo 产品 描述 或者 包含 在此处 在 此类 产品.
sanyo 假设 非 责任 为 设备 failures 那 结果 从 使用 产品 在 值 那
超过, 甚至 短促地, 评估 值 (此类 作 最大 比率, 运行 情况 范围,或者 其它
参数) 列表 在 产品 规格 的 任何 和 所有 sanyo 产品 描述 或者 包含
在此处.
n-频道 硅 场效应晶体管
ultrahigh-速 切换 产品
订货 号码:enn4601a
2SK2161
sanyo electric co.,有限公司. 半导体 公司
tokyo 办公室 tokyo bldg., 1-10, 1 chome, ueno, taito-ku, tokyo, 110-8534 日本
71599th (kt)/n2394ts (koto) ta-0054 非.4601–1/4
规格
绝对 最大 比率
在 ta = 25˚c
包装 维度
单位:mm
2063A
[2SK2161]
特性
· 低 在 阻抗.
· ultrahigh-速 切换.
· 低-电压 驱动.
· micaless 包装 facilitating 挂载.
˚C
˚C
电的 特性
在 ta = 25˚c
1 : 门
3 : 源
sanyo : 至-220ml
PW
10
µ
s, 职责 循环
1%
持续 在 next 页.
Tc=25
°
C
1.6
1.2
0.75
14.0
16.0
10.0
18.1
5.6
3.2
7.2
3.5
2.55
2.55
2.4
4.5
2.8
0.7
2.55
2.55
2.4
1
23
retemaraPlobmySsnoitidnoCsgnitaRtinU
egatlovecruos-ot-niarDV
SSD
002V
egatlovecruos-ot-etaGV
SSG
02±V
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D
9A
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PD
63A
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D
0.2W
52W
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retemaraPlobmySsnoitidnoC
sgnitaR
tinU
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I
D
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SG
0=002V
egatlovnwodkaerbecruos-ot-etaGV
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I
G
v,aµ001±=
SD
0=02±V
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SSD
V
SD
v,v002=
SG
0=001Aµ
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SSG
V
SG
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SD
0=01±Aµ
egatloVffotuCV
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V
SD
i,v01=
D
Am1=5.15.2V
ecnattimdArefsnarTdrawroF|sfy|V
SD
i,v01=
D
a5.4=5.36 S
ecnatsiseretats-noecruos-ot-niardcitatSR
)非(sd
I
D
v,a5.4=
SG
V01=052053m
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