LT1976
6
1976f
UU
U
pi fu ctio s
nc (管脚 1, 3, 5):
非 连接.
sw (管脚 2):
这 sw 管脚 是 这 发射级 的 这 在-碎片 电源
npn 转变. 这个 管脚 是 驱动 向上 至 这 输入 管脚 电压
在 转变 在 时间. inductor 电流 驱动 这 sw 管脚
负的 在 转变 止 时间. 负的 电压 是 clamped
和 这 外部 catch 二极管. 最大 负的 转变
电压 允许 是 –0.8v.
V
在
(管脚 4):
这个 是 这 集电级 的 这 在-碎片 电源 npn
转变. v
在
powers 这 内部的 控制 电路系统 当 一个
电压 在 这 偏差 管脚 是 不 呈现. 高 di/dt edges
出现 在 这个 管脚 在 转变 转变 在 和 止. 保持 这
path 短的 从 这 v
在
管脚 通过 这 输入 绕过
电容, 通过 这 catch 二极管 后面的 至 sw. 所有 查出
电感 在 这个 path 将 create 一个 电压 尖刺 在 转变
止, adding 至 这 v
CE
电压 横过 这 内部的 npn.
boost (管脚 6):
这 boost 管脚 是 使用 至 提供 一个 驱动
电压, 高等级的 比 这 输入 电压, 至 这 内部的
双极 npn 电源 转变. 没有 这个 增加 电压, 这
典型 转变 电压 丧失 将 是 关于 1.5v. 这
额外的 boost 电压 准许 这 转变 至 使湿透
和 它的 电压 丧失 approximates 那 的 一个 0.2
Ω
场效应晶体管
结构, 但是 和 更 小 消逝 范围.
C
T
(管脚 7):
一个 电容 在 这 c
T
管脚 确定 这 数量
的 延迟 时间 在 这 pgfb 管脚 exceeding 它的 thresh-
old (v
PGFB
) 和 这 pg 管脚 设置 至 一个 高 阻抗 状态.
当 这 pgfb 管脚 rises 在之上 v
PGFB
, 电流 是 sourced
从 这 c
T
管脚 在 这 外部 电容. 当 这 volt-
age 在 这 外部 电容 reaches 一个 内部的 clamp
(v
CT
), 这 pg 管脚 变为 一个 高 阻抗 node. 这
resultant pg 延迟 时间 是 给 用 t = c
CT
• v
CT
/i
CT
. 如果 这
电压 在 这 pgfb 管脚 drops 在下 v
PGFB
, c
CT
将 是
释放 迅速 至 0v 和 pg 将 是 起作用的 低 和 一个
200
µ
一个 下沉 能力. 如果 这 c
T
管脚 是 clamped (电源 好的
情况) 在 正常的 运作 和 shdn 是 带去 低,
这 c
T
管脚 将 是 释放 和 一个 延迟 时期 将 出现
当 shdn 是 returned 高. 看 这 电源 好的 部分
在 产品 信息 为 详细信息.
地 (管脚 8, 17):
这 地 管脚 连接 acts 作 这
涉及 为 这 管制 输出, 所以 加载 规章制度 将
suffer 如果 这 “ground” 终止 的 这 加载 是 不 在 这 一样
电压 作 这 地 管脚 的 这 ic. 这个 情况 将 出现
当 加载 电流 或者 其它 电流 流动 通过 metal
paths 在 这 地 管脚 和 这 加载 地面. 保持 这
path 在 这 地 管脚 和 这 加载 地面 短的 和
使用 一个 地面 平面 当 可能. 这 地 管脚 也 acts
作 一个 热温 下沉 和 应当 是 焊接 (along 和 这
exposed 引线框架) 至 这 铜 地面 平面 至 减少
热的 阻抗 (看 产品 信息).
非 加载 1a 步伐 回馈
步伐 回馈
V
输出
100mv/div
I
输出
500ma/div
V
在
= 12v 时间 (1ms/div)
1976 g17
V
输出
= 3.3v
C
输出
= 47
µ
F
V
输出
100mv/div
I
输出
500ma/div
V
在
= 12v 时间 (1ms/div)
1976 g18
V
输出
= 3.3v
C
输出
= 47
µ
F
I
直流
= 250ma
0A
1A
0A
1A
典型 perfor 一个 ce characTERISTICS
UW
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