LTC4555
4
4555f
UU
U
pi fu ctio s
shdn (管脚 1):
控制 驱动 关闭 管脚. 这个 管脚
应当 是 高 (dv
CC
) 为 正常的 运作 和 低 至
活动 一个 低 电流 关闭 模式.
V
SEL
(管脚 2):
V
CC
电压 选择 管脚. 一个 低 水平的 选择
V
CC
= 1.8v 当 驱动 这个 管脚 至 dv
CC
选择 v
CC
= 3v.
DV
CC
(管脚 3):
供应 电压 为 这 控制 一侧 i/o
管脚 (c
在
, r
在
, 数据). 当 在下 1.1v, 这 v
CC
供应
是 无能, 放置 这 ltc4555 在 关闭 模式. 这个
管脚 应当 是 绕过 和 一个 0.1
µ
f 陶瓷的 电容
关闭 至 这 管脚.
nc (管脚 4, 6, 12, 16):
非 连接.
V
BAT
(管脚 5):
V
CC
供应 输入. 这个 管脚 能 是 在 3v
和 6v 为 正常的 运作. v
BAT
安静的 电流
减少 至 <1
µ
一个 在 关闭. 这个 管脚 应当 是 用-
passed 和 一个 0.1
µ
f 陶瓷的 电容 关闭 至 这 管脚.
V
CC
(管脚 7):
sim card v
CC
供应. 一个 1
µ
f 低 等效串联电阻
电容 needs 至 是 连接 关闭 至 这 v
CC
管脚 为
稳固的 运作. 这个 管脚 是 释放 至 地 在
关闭.
i/o (管脚 8):
sim-一侧 数据 i/o. 这 sim card 输出 必须
是 在 一个 打开 流 驱动器 有能力 的 sourcing >1ma.
rst (管脚 9):
重置 输出 管脚 为 这 sim card.
地 (管脚 10):
地面 为 这 sim 和 控制. 恰当的
grounding 和 bypassing 是 必需的 至 满足 14kv 静电释放
规格. exposed 垫子 必须 也 是 连接 至
地.
clk (管脚 11):
时钟 输出 管脚 为 这 sim card. 这个 管脚
是 牵引的 至 地面 在 关闭. 快 rising 和
下落 edges necessitate 细致的 板 布局 为 这 clk
node.
C
在
(管脚 13):
时钟 输入 从 这 控制.
R
在
(管脚 14):
重置 输入 从 这 控制.
数据 (管脚 15):
控制 一侧 数据 i/o. 这个 管脚 是 使用
为 双向的 数据 转移. 这 控制 输出 必须
是 一个 打开-流 配置. 这 打开-流 输出
必须 是 有能力 的 sinking 更好 比 1ma.
典型 perfor一个ce characTERISTICS
UW
I
BAT
vs v
BAT
V
CC
短的-电路 电流
温度 (
°
c)
–40
短的-电路 电流 (毫安)
170
150
130
110
90
70
50
20 60
4555 g01
–20 0
40 80 100
T
一个
= –40
°
C
V
BAT
(v)
2.5
I
BAT
(
µ
一个)
22
20
18
16
14
12
10
4.0 5.0
4555 g02
3.0 3.5
4.5 5.5 6.0
V
CC
= 1.8v
V
CC
= 3v
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 85
°
C
T
一个
= 85
°
C
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= –40
°
C
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