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LTC3730
3730i
选择 criteria 为 这 电源 mosfets 包含 这 “on”
阻抗 r
ds(在)
, 输入 电容, 输入 电压 和
最大 输出 电流.
场效应晶体管 输入 电容 是 一个 结合体 的 一些
组件 但是 能 是 带去 从 这 典型 “gate
charge” 曲线 包含 在 大多数 数据 薄板. 这 曲线 是
发生 用 forcing 一个 常量 输入 电流 在 这 门
的 一个 一般 源, 电流 源 承载 平台 和
然后 plotting 这 门 电压 相比 时间. 这 最初的 斜度
是 这 效应 的 这 门-至-源 和 这 门-至-流
电容. 这 flat portion 的 这 曲线 是 这 结果 的 这
miller multiplication 效应 的 这 流-至-源 capaci-
tance 作 这 流 drops 这 电压 横过 这 电流
源 加载. 这 upper sloping 线条 是 预定的 至 这 流-至-
门 accumulation 电容 和 这 门-至-源
电容. 这 miller 承担 (这 增加 在 coulombs
在 这 horizontal axis 从 一个 至 b 当 这 曲线 是 flat) 是
指定 为 一个 给 v
DS
流 电压, 但是 能 是 调整
为 不同的 v
DS
电压 用 乘以 用 这 比率 的 这
应用 v
DS
至 这 曲线 指定 v
DS
值. 一个 方法 至
估计 这 c
MILLER
期 是 至 引领 这 改变 在 门
承担 从 点 一个 和 b 在 一个 manufacturers 数据 薄板
和 分隔 用 这 陈述 v
DS
电压 指定. c
MILLER
是
这 大多数 重要的 选择 criteria 为 determining 这
转变 丧失 期 在 这 顶 场效应晶体管 但是 是 不 直接地
指定 在 场效应晶体管 数据 薄板. c
RSS
和 c
OS
是
指定 sometimes 但是 定义 的 这些 参数
是 不 包含.
当 这 控制 是 运行 在 持续的 模式 这
职责 循环 为 这 顶 和 bottom mosfets 是 给 用:
主要的 转变职责 循环
V
V
同步的 转变职责 循环
VV
V
输出
在
在 输出
在
=
=
–
这 电源 消耗 为 这 主要的 和 同步的
mosfets 在 最大 输出 电流 是 给 用:
P
V
V
I
N
R
V
I
N
RC
VV V
f
P
VV
V
I
N
R
主要的
输出
在
最大值
DS 在
在
最大值
DR MILLER
CC TH IL TH IL
同步
在 输出
在
最大值
DS 在
=
+
()
+
()( )
+
()
=
+
()
2
2
2
1
2
11
1
δ
δ
()
() ()
()
•
–
–
在哪里 n 是 这 号码 的 输出 stages,
δ
是 这 tempera-
ture dependency 的 r
ds(在)
, r
DR
是 这 有效的 顶 驱动器
阻抗 (大概 2
Ω
在 v
GS
= v
MILLER
), v
在
是 这
流 潜在的
和
这 改变 在 流 潜在的 在 这
particular 应用. v
th(il)
是 这 数据 薄板 指定
典型 门 门槛 电压 指定 在 这 电源
场效应晶体管 数据 薄板 在 这 指定 流 电流. c
MILLER
是 这 计算 电容 使用 这 门 承担 曲线
从 这 场效应晶体管 数据 薄板 和 这 技巧 描述
在之上.
两个都 mosfets 有 i
2
r losses 当 这 topside n-频道
等式 包含 一个 额外的 期 为 转变 losses,
这个 顶峰 在 这 最高的 输入 电压. 为 v
在
< 12v, 这
高 电流 效率 一般地 改进 和 大
mosfets, 当 为 v
在
> 12v, 这 转变 losses
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
3730 f05
miller 效应
Q
在
ab
C
MILLER
= (q
B
– q
一个
)/v
DS
V
GS
+
–
V
DS
V
在
V
GS
V
+
–
图示 5
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