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idt7130sa/la 和 idt7140sa/la
高-速 1k x 8 双-端口 静态的 sram                                 军队, 工业的 和 商业的 温度 范围
6

V
CC
CE
4.5v 4.5v
数据 保持 模式
t
CDR
t
R
V
IH
V
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V
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V
DR
2.0v
2692 drw 06
≥
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注释:
1. V
CC
= 2v, t
一个
= +25
°
c, 和 是 不 生产 测试.
2. t
RC
= 读 循环 时间
3. 这个 参数 是 有保证的 但是 不 生产 测试.
7130la/7140LA
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
V
DR
V
CC
为 数据 retention 2.0
___ ___
V
I
CCDR
数据 retention current
V
CC
= 2.0v,
CE
>V
CC
-0.2v
mil. &放大; ind.
___
100 4000
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___
100 1500
t
CDR
(3)
碎片 deselect 至数据 retention 时间
V
在
>V
CC
-0.2vor v
在
<0.2v
0
___ ___
ns
t
R
(3)
运作 恢复 时间 t
RC
(2)
___ ___
ns
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idt7130sa/la 和 idt7140sa/la 高-速 1k x 8 双-端口静态的 sram 军队, 工业的和商业的温度范围 6  V CC CE 4.5v 4.5v 数据保持模式 t CDR t R V IH V IH V DR V DR 2.0v 2692 drw 06 ≥ ,   注释: 1. V CC = 2v, t 一个 = +25 ° c, 和是不生产测试. 2. t RC = 读循环时间 3. 这个参数是有保证的但是不生产测试. 7130la/7140LA 标识参数测试情况最小值典型值 (1) 最大值单位 V DR V CC 为数据 retention 2.0 ___ ___ V I CCDR 数据 retention current V CC = 2.0v, CE >V CC -0.2v mil. &放大; ind. ___ 100 4000 µA COM'l. ___ 100 1500 t CDR (3) 碎片 deselect 至数据 retention 时间 V 在 >V CC -0.2vor v 在 <0.2v 0 ___ ___ ns t R (3) 运作恢复时间 t RC (2) ___ ___ ns 2689 tbl 07

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