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资料编号:1094197
 
资料名称:IDT7130SA
 
文件大小: 155815K
   
说明
 
介绍:
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
 
 


: 点此下载
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idt7130sa/la 和 idt7140sa/la
高-速 1k x 8 双-端口 静态的 sram 军队, 工业的 和 商业的 温度 范围
8



注释:
1. 转变 是 量过的 0mv 从 低 或者 高-阻抗 电压 输出 测试 加载 (图示 2).
2. plcc, tqfp 和 stqfp 包装 仅有的.
3. 'x' 在 部分 号码 indicates 电源 比率 (sa 或者 la).
4. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
5. 工业的 温度: 为 其它 speeds, 包装 和 powers 联系 your 销售 办公室.
7130X20
(2)
7140X20
(2)
com'l 仅有的
7130X25
7140X25
com'l &放大;
军队
7130X35
7140X35
com'l &放大;
军队
单位标识 参数 最小值.最大值.最小值.最大值.最小值.最大值.
读 循环
t
RC
Read循环时间 20
____
25
____
35
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
20
____
25
____
35 ns
t
ACE
碎片 使能 进入 时间
____
20
____
25
____
35 ns
t
AOE
输出 使能 进入 时间
____
11
____
12
____
20 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output low-z 德州仪器me
(1,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
HZ
Output high-z 时间
(1,4)
____
10
____
10
____
15 ns
t
PU
碎片Enable至 power 向上 时间
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
ChipDis能 至 po我们r 向下 时间
(4)
____
20
____
25
____
35 ns
2689 tbl09一个
7130X55
7140X55
com'l, ind
&放大; 军队
7130X100
7140X100
com'l, ind
&放大; 军队
单位标识 参数 最小值.最大值.最小值.最大值.
读 循环
t
RC
Read循环时间 55
____
100
____
ns
t
AA
地址 进入 时间
____
55
____
100 ns
t
ACE
碎片 enable access 时间
____
55
____
100 ns
t
AOE
Output enableAccess 时间
____
25
____
40 ns
t
OH
Output holdfrom address change 3
____
10
____
ns
t
LZ
Output low-z 时间
(1,4)
5
____
5
____
ns
t
HZ
Output 高-z 时间
(1,4)
____
25
____
40 ns
t
PU
碎片 使能 至电源 向上时间
(4)
0
____
0
____
ns
t
PD
碎片DisablePower 做wn 时间
(4)
____
50
____
50 ns
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