6.42
idt7132sa/la 和 idt 7142sa/la
高 速 2k x 8 双 端口 静态的 内存 军队, 工业的 和 商业的 温度 范围
5
注释:
1. V
CC
= 2v, t
一个
= +25
°
c, 和 是 不 生产 测试.
2. t
RC
= 读 循环 时间
3. 这个 参数 是 有保证的 但是 不 生产 测试.
便条:
1. 在 vcc
<
2.0v leakages 是 未阐明的.
V
CC
CE
4.5v 4.5v
数据 保持 模式
t
CDR
t
R
V
IH
V
IH
V
DR
V
DR
2.0v
2692 drw 05
≥
,
标识 参数 测试 情况
7132SA
7142SA
7132LA
7142LA
单位最小值 最大值 最小值 最大值
|I
LI
|
输入 泄漏 电流
(1)
V
CC
= 5.5v,
V
在
= 0v 至 v
CC
___
10
___
5µA
|I
LO
| Output leakageCurrent
V
CC
= 5.5v,
CE
= v
IH
, v
输出
= 0v 至 v
CC
___
10
___
5
µA
V
OL
Output low voltage I
OL
= 4ma
___
0.4
___
0.4 V
V
OL
运算en 流 output
低 voltage (
BUSY
,
INT
)
I
OL
= 16ma
___
0.5
___
0.5
V
V
OH
Output high voltage I
OH
= -4ma 2.4
___
2.4
___
V
2692 tbl 05
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
V
DR
V
CC
for 数据 retention V
CC
= 2.0v 2.0
___ ___
V
I
CCDR
数据 retention current
CE
>
V
CC
-0.2v
V
在
>V
CC
-0.2v or
mil. &放大; ind.
___
100 4000
µA
Com'l.
___
100 1500 µ 一个
t
CDR
(3)
碎片Deselect 至数据 retention 时间
V
在
<
0.2v
0
___ ___
ns
t
R
(3)
Ope比率n recovery 时间 t
RC
(2)
___ ___
ns
2692 tbl 06