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资料编号:1094389
资料名称:
2SK3296
文件大小: 432379K
说明
:
介绍
:
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,35A I(D),TO-220AB
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14063ej2v0ds
2
2SK3296
电的 特性(t
一个
= 25°c)
特性
标识
测试 情况
最小值
典型值
最大值
单位
流 泄漏 电流
I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v
10
µ
一个
门 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0 v
±
10
µ
一个
门 截-止 电压
V
gs(止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安
1.0
2.5
V
向前 转移 admittance
| y
fs
|V
DS
= 10 v, i
D
= 18 一个
9.0
S
流 至 源 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
V
GS
= 10 v, i
D
= 18 一个
8.5
12
m
Ω
R
ds(在)2
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 18 一个
12
19
m
Ω
输入 电容
C
iss
V
DS
= 10 v
1300
pF
输出 电容
C
oss
V
GS
= 0 v
570
pF
反转 转移 电容
C
rss
f = 1 mhz
300
pF
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
= 10 v , i
D
= 18 一个
70
ns
上升 时间
t
r
V
gs(在)
= 10 v
1220
ns
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
R
G
= 10
Ω
100
ns
下降 时间
t
f
180
ns
总的 门 承担
Q
G
V
DD
= 16 v
30
nC
门 至 源 承担
Q
GS
V
GS
= 10 v
4.5
nC
门 至 流 承担
Q
GD
I
D
= 35 一个
8.0
nC
二极管 向前 电压
V
f(s-d)
I
F
= 35 一个, v
GS
= 0 v
1.0
V
反转 恢复 时间
t
rr
I
F
= 35 一个, v
GS
= 0 v
35
ns
反转 恢复 承担
Q
rr
di/dt = 100 一个/
µ
s
23
nC
测试 电路 2 门 承担
测试 电路 1 切换 时间
pg.
R
G
0
V
GS
d.u.t.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
µ
职责 循环
≤
1%
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
V
GS
10%
90%
V
GS
(在)
10%
0
I
D
90%
90%
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10%
τ
I
D
0
t
在
t
止
pg.
50
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
I
G
= 2 毫安
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