2003 将 15 2
飞利浦 半导体 产品 规格
反相器 和 打开-流 输出 74hc3g06; 74hct3g06
特性
•
宽 供应 电压 范围 从 2.0 至 6.0 V
•
对称的 输出 阻抗
•
高 噪音 免除
•
低 电源 消耗
•
静电释放 保护:
hbm eia/jesd22-a114-一个 超过 2000 V
mm eia/jesd22-a115-一个 超过 200 v.
•
保持平衡 传播 延迟
•
非常 小 8 管脚 包装.
描述
这 74hc3g06/74hct3g06 是 一个 高-速 si-门
cmos 设备. 指定 在 遵从 和 电子元件工业联合会
标准 非. 7a.
这 74hc3g06/74hct3g06 提供 三 反相的
缓存区.
这 输出 的 这 74hc3g06; 74hct3g06 设备 是
打开 drains 和 能 是 连接 至 其它 打开-流
输出 至 执行 起作用的-低 连线的-或者 或者
起作用的-高 连线的-和 功能. 为 数字的 运作
这个 设备 必须 有 一个 拉-向上 电阻 至 establish 一个 逻辑
高-水平的.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
≤
6.0 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
×
N+
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特;
N = 总的 加载 切换 输出;
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 这 输出.
2. 为 74hc3g06 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
为 74hct3g06 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
−
1.5 v.
标识 参数 情况
典型
单位
HC3G HCT3G
t
PZL
传播 延迟 na 至 nY C
L
= 50 pf; v
CC
= 4.5 V 9 9 ns
t
PLZ
传播 延迟 na 至 nY C
L
= 50 pf; v
CC
=4.5v1112ns
C
I
输入 电容 1.5 1.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每 缓存区 注释 1 和 2 4 4 pF
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