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资料编号:1096929
 
资料名称:rds035
 
文件大小: 43309K
   
说明
 
介绍:
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SO
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
RDS035L03
晶体管
z
zz
z
热的 阻抗
(ta=25
°
c)
rth(ch-一个) 62.5
˚
c / w
标识 限制 单位
参数
频道 至 包围的
z
zz
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数
门-源 泄漏
流-源 损坏 电压
零 门 电压 流 电流
门 门槛 电压
向前 转移 admittance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 承担
测试 情况
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=10V
V
GS
=10V
I
D
=2a, v
DD
15V
R
L
=7.5
R
GS
=10
µ
一个
pF
m
S
单位
V
µ
一个
V
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
I
D
=3.5a, v
GS
=10V
30
1.0
2.5
最小值
180
62
典型值
95
38
6
12
20
6
1.8
1.2
132
±10
10
2.5
80
I
D
=3.5a, v
GS
=4.5v
105 134
最大值
172 I
D
=3.5a, v
GS
=4V
I
D
=3.5a, v
DS
=10V
I
D
=1ma, v
GS
=0V
V
GS
=±20v, v
DS
=0V
V
DS
=30v, v
GS
=0V
V
DS
=10v, i
D
=1mA
nC V
DD
=15V
V
GS
=10V
I
D
=3.5a
6.5
静态的 流-源 在-状态
阻抗
搏动
I
GSS
I
DSS
l y
fs
l
C
iss
标识
C
oss
C
rss
t
r
t
f
Q
gd
Q
gs
Q
g
V
(br) dss
V
gs (th)
R
ds (在)
t
d (在)
t
d (止)
z
zz
z
身体 二极管 特性 (源-流 特性)
(ta=25
°
c)
参数
向前 电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
测试 情况
V
单位
ns
nC
最小值
26
24
典型值
1.5
最大值
I
DR
=3.5a, v
GS
=0V
I
s
=3.5a, v
GS
=0V
di/dt=50a/
µ
s
V
SD
t
rr
Q
rr
标识
搏动
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