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162
2
标识 比率 单位
V
在
12 V
I
输出
50 毫安
V
输出
V
SS
-0.3 V
在
+0.3
V
SS
-0.3 9
V
持续的 总的
sot-23
Pd
150
mW
电源 消耗
sot-89
500
Topr
-30 +80
O
C
Tstg
-40 +125
O
C
输出 电压
参数
输出 电流
输入 电压
存储 温度
运行 包围的 温度
CMOS
n-ch 打开 流
至-92
300
µ
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位 电路
发现 电压 V
DF
V
DF
(t) V
DF
(t) V
DF
(t)
V
x 0.98 x 1.02
hysteresis 范围 V
HYS
V
DF
V
DF
V
DF
V
x 0.02 x 0.05 x 0.08
V
在
=1.5v 0.9 2.6
=2.0v 1.0 3.0
供应 电流 I
SS
=3.0v 1.3 3.4
µ
一个
2
1
1
=4.0v 1.6 3.8
=5.0v 2.0 4.2
运行 电压 V
在
V
DF
=1.6v 至 6.0v 0.7 10.0 V
1
n-ch                                v
DS
=0.5v
V
在
=1.0v 2.2
=2.0v 7.7
3
=3.0v 10.1
输出 电流 I
输出
=4.0v 11.5 毫安
=5.0v 13.0
p-ch V
DS
=2.1v
V
在
=8.0v -10.0
4
( cmos 输出 )
发现 电压
∆
V
DF
±
100 ppm/
°
C
-
温度 特性
∆
Topr
•
V
DF
瞬时 延迟 时间
tdly *
V
在
改变 从
50 200
ms
5
(v
DR
V
输出
倒置) 0.6v 至 10v

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162 2 标识比率单位 V 在 12 V I 输出 50 毫安 V 输出 V SS -0.3 V 在 +0.3 V SS -0.3 9 V 持续的总的 sot-23 Pd 150 mW 电源消耗 sot-89 500 Topr -30 +80 O C Tstg -40 +125 O C 输出电压参数输出电流输入电压存储温度运行包围的温度 CMOS n-ch 打开流至-92 300 µ 参数标识情况最小值典型值最大值单位电路发现电压 V DF V DF (t) V DF (t) V DF (t) V x 0.98 x 1.02 hysteresis 范围 V HYS V DF V DF V DF V x 0.02 x 0.05 x 0.08 V 在 =1.5v 0.9 2.6 =2.0v 1.0 3.0 供应电流 I SS =3.0v 1.3 3.4 µ 一个 2 1 1 =4.0v 1.6 3.8 =5.0v 2.0 4.2 运行电压 V 在 V DF =1.6v 至 6.0v 0.7 10.0 V 1 n-ch v DS =0.5v V 在 =1.0v 2.2 =2.0v 7.7 3 =3.0v 10.1 输出电流 I 输出 =4.0v 11.5 毫安 =5.0v 13.0 p-ch V DS =2.1v V 在 =8.0v -10.0 4 ( cmos 输出 ) 发现电压 ∆ V DF ± 100 ppm/ ° C - 温度特性 ∆ Topr • V DF 瞬时延迟时间 tdly * V 在改变从 50 200 ms 5 (v DR V 输出倒置) 0.6v 至 10v

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