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资料编号:1097372
 
资料名称:AAT4900
 
文件大小: 286696K
   
说明
 
介绍:
Buffered Power Half-Bridge
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
绝对 最大 比率
(t
一个
=25°c 除非 否则 指出)
便条: 压力 在之上 那些 列表 在 绝对 最大 比率 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 函数的 运作 在 con-
ditions 其它 比 这 运行 情况 指定 是 不 暗指. 仅有的 一个 绝对 最大 比率 应当 是 应用 在 任何 一个 时间.
便条 1: 人 身体 模型 是 一个 100 pf 电容 释放 通过 一个 1.5k
电阻 在 各自 管脚.
热的 信息
便条 2: 挂载 在 一个 demo 板.
电的 特性
(v
= 5v, t
一个
= -40 至 85°c 除非 否则 指出. 典型 值
是 在 t
一个
=25°c)
便条 3: 为 v
外部 这个 范围 咨询 clk/使能 门槛 vs. 输入 电压 曲线.
标识 描述 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
运作 电压 2.7 5.5 V
I
QAC
交流 安静的 电流 在 = 5v, en = 在, clk = 1mhz, i
LX
= 0 4 9 毫安
I
QDC
直流 安静的 电流 在 = 5v, en = 在,clk = 地, i
LX
= 0 1 µA
I
q(止)
止-供应 电流 en = clk = 地 在 = lx = 5.5v 1 µA
I
sd(止)
止-转变 电流 en = 地, 在 = 5.5v, v
输出
=0, 或者 lx = 在 0.03 1 µA
R
ds(在)h
高 一侧 场效应晶体管 在 = 5.0v, t
一个
= 25°c 130 165 m
在 阻抗 在 = 3.0v, t
一个
= 25°c 165 195 m
R
ds(在)l
低 一侧 场效应晶体管 在 = 5.0v, t
一个
= 25°c 105 145 m
在 阻抗 在 = 3.0v, t
一个
= 25°c 135 175 m
V
ONL
clk, en 输入 低 电压 在 = 2.7v 至 5.5v 0.8 V
V
ONH
clk, en 输入 高 电压
在 = 2.7v 至
4.2v
3
2.0 V
在 = >4.2v 至 5.0v
3
2.4 V
I
下沉
clk, en 输入 泄漏 clk, en = 5.5v 0.01 1 µA
T
BBM
破裂 在之前 制造 时间
clk rising 5 ns
clk 下落 5 ns
T
在-dly
clk 至 lx 延迟
clk rising 30 ns
clk 下落 40 ns
T
HIZ
en 至 输出 hiz 延迟
clk = 地 40 ns
clk = 在 40 ns
标识 描述 单位
Θ
JA
热的 阻抗
2
(sot23-5, sc70jw-8) 190 °c/w
P
D
电源 消耗
2
(sot23-5, sc70jw-8) 526 mW
标识 描述 单位
V
在 至 地 -0.3 至 6 V
V
EN
, v
CLK
en, clk 至 地 -0.3 至 v
+0.3 V
V
输出
输出 至 地 -0.3 至 v
+0.3 V
I
最大值
最大 持续的 转变 电流 2 一个
T
J
运行 接合面 温度 范围 -40 至 150 °C
V
静电释放
静电释放 比率
1
- hbm 4000 V
T
含铅的
最大 焊接 温度 (在 leads) 300 °C
AAT4900
缓冲 电源 half-桥
4900.2004.04.1.0
3
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