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AAT4900
缓冲 电源 half-桥
4900.2004.04.1.0
5
典型 特性
R
ds(在)
vs. 输入 电压
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
输入 电压 (v)
R
ds(在)
(
Ω
)
高 一侧
低 一侧
clk/使能 门槛 vs. 输入 电压
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
输入 电压 (v)
门槛 电压 (v)
V
ONH
V
ONL
传播 延迟vs. 输入 电压
C
L
=1000pF
0
10
20
30
40
50
60
70
2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
V
在
(v)
延迟 时间 (ns)
t
PLH
t
PHL
低 一侧 r
ds(在)
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
-
40 -20 0 20 40 60 80 100 120
温度 (
°
c)
R
ds(在)
(
Ω
)
V
在
= 2.7v,
I
D
= 2.2a
V
在
= 5.5v,
I
D
= 0.2a 至 2.2a
V
在
= 2.7v,
I
D
= 0.2a
高 一侧 r
ds(在)
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
温度 (
°
c)
R
ds(在)
(
Ω
)
V
在
= 2.7v,
I
D
= 2.2a
V
在
= 5.5v,
I
D
= 0.2a 至 2.2a
V
在
= 2.7v,
I
D
= 0.2a

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AAT4900 缓冲电源 half-桥 4900.2004.04.1.0 5 典型特性 R ds(在) vs. 输入电压 0.1 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.17 0.18 0.19 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 输入电压 (v) R ds(在) ( Ω ) 高一侧低一侧 clk/使能门槛 vs. 输入电压 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 输入电压 (v) 门槛电压 (v) V ONH V ONL 传播延迟vs. 输入电压 C L =1000pF 0 10 20 30 40 50 60 70 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 V 在 (v) 延迟时间 (ns) t PLH t PHL 低一侧 r ds(在) 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 - 40 -20 0 20 40 60 80 100 120 温度 ( ° c) R ds(在) ( Ω ) V 在 = 2.7v, I D = 2.2a V 在 = 5.5v, I D = 0.2a 至 2.2a V 在 = 2.7v, I D = 0.2a 高一侧 r ds(在) 0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 温度 ( ° c) R ds(在) ( Ω ) V 在 = 2.7v, I D = 2.2a V 在 = 5.5v, I D = 0.2a 至 2.2a V 在 = 2.7v, I D = 0.2a

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