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资料编号:1097378
 
资料名称:AAT8307
 
文件大小: 163536K
   
说明
 
介绍:
20V P-Channel Power MOSFET
 
 


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典型 特性
(t
J
= 25ºc 除非 否则 指出)
瞬时 热的 回馈, 接合面 至 包围的
时间 (s)
normalized 有效的
瞬时 热的 阻抗
0.01
0.1
1
10
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
.01
.02
.1
.2
.5
单独的 脉冲波
单独的 脉冲波 电源, 接合面 至 包围的
0
10
20
30
40
50
60
0.001 0.1 10 1000
时间 (s)
电源 (w)
电容
0
400
800
1200
1600
2000
0 5 10 15 20
V
DS
(v)
电容 (pf)
C
iss
C
oss
C
rss
源-流 二极管 向前 电压
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
V
SD
(v)
I
S
(一个)
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
门 承担
0
1
2
3
4
5
036 91215
Q
G
, 承担 (nc)
V
GS
(v)
V
D
=15V
I
D
=6.5a
AAT8307
20v p-频道 电源 场效应晶体管
4
8307.2003.06.0.62
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