三月. 2002
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
BCR3PM
低 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
谈及 至 这 页 6 作 至 这 产品 有保证的
最大 接合面 温度 150
°
C
10
1
10
3
7
5
3
2
–
60
–
20 20
10
2
7
5
3
2
60 100 140
4
4
–
40 0 40 80 120
160
100
80
40
20
0
14040
–
40
–
60
–
20 0 20 60 80
140
100120
60
120
14040
–
40
–
60
–
20 0 20 60 80 100120
10
5
7
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
160
120
100
60
20
0
3.21.60.40
0.8 1.2 2.0 2.4 2.8
40
80
140
160
120
100
60
20
0
80
1357
40
80
140
246
60 60 t2.3
100 100 t2.3
120 120 t2.3
140
–
60
–
20 20 60 100
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
–
40 0 40 80 120
容许的 包围的 温度
vs. rms 在-状态 电流
包围的 温度 (
°
c)
rms 在-状态 电流 (一个)
所有 fins 是 黑色 painted
铝 和 greased
自然的 convection
曲线 应用
REGARDLESS
的 传导 角度
resistive,
INDUCTIVE
负载
容许的 包围的 温度
vs. rms 在-状态 电流
包围的 温度 (
°
c)
rms 在-状态 电流 (一个)
自然的 convection
非 fins
曲线 应用 regardless
的 传导 角度
resistive, inductive 负载
典型 例子
repetitive 顶峰 止-状态
电流 vs. 接合面
温度
接合面 温度 (
°
c)
100 (%)
repetitive 顶峰 止-状态 电流
(
T
j
= t
°
C
)
repetitive 顶峰 止-状态 电流
(
T
j
= 25
°
C
)
典型 例子
支持 电流 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c)
100 (%)
支持 电流
(
T
j
= t
°
C
)
支持 电流
(
T
j
= 25
°
C
)
laching 电流 vs.
接合面 温度
laching 电流 (毫安)
接合面 温度 (
°
c)
T
2
+
, g
+
T
2
–
, g
–
典型
例子
T
2
+
, g
–
典型
例子
分发
典型 例子
breakover 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c)
100 (%)
breakover 电压
(
T
j
= t
°
C
)
breakover 电压
(
T
j
= 25
°
C
)
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