三月. 2002
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
BCR3PM
低 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
谈及 至 这 页 6 作 至 这 产品 有保证的
最大 接合面 温度 150
°
C
2310
1
5710
2
23 5710
3
23 5710
4
120
0
20
40
60
80
100
140
160
10
1
10
3
7
5
3
2
10
0
23 5710
1
10
2
7
5
3
2
23 5710
2
4
4
44
I
rgt iii
I
rgt i
I
fgt i
10
0
7
5
3
2
10
0
23 5710
1
10
1
7
7
5
3
2
23 5710
2
6
Ω
6
Ω
6
Ω
6V 6V
6V
R
G
R
G
R
G
一个
V
一个
V
一个
V
测试 程序
1
测试 程序
3
测试 程序
2
门 触发 特性 测试 电路
breakover 电压 vs.
比率 的 上升 的
止-状态 电压
比率 的 上升 的 止-状态 电压 (v/
µ
s)
100 (%)
breakover 电压
(
dv/dt = xv/
µ
s
)
breakover 电压
(
dv/dt = 1v/
µ
s
)
典型 例子
T
j
= 125
°
C
i quadrant
iii quadrant
commutation 特性
核心的 比率 的 上升 的 止-状态
commutating 电压 (v/
µ
s)
比率 的 decay 的 在-状态
commutating 电流 (一个/ms)
典型
例子
T
j
= 125
°
C
I
T
= 4a
τ
= 500
µ
s
V
D
= 200v
f = 3hz
iii quadrant
i quadrant
最小
charac-
TERISTICS
值
门 触发 电流 vs.
门 电流 脉冲波 宽度
门 电流 脉冲波 宽度 (
µ
s)
100 (%)
门 触发 电流
(
tw
)
门 触发 电流
(
直流
)
典型 例子
供应
电压
时间
时间
时间
主要的 电流
主要的
电压
(di/dt)c
V
D
(dv/dt)c
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