三月. 2002
供应
电压 时间
时间
时间
主要的 电流
主要的
电压
(di/dt)c
V
D
(dv/dt)c
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
BCR3PM
低 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
标识
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
th (j-c)
(dv/dt)
c
参数
repetitive 顶峰 止-状态 电流
在-状态 电压
门 触发 电压
✽
2
门 触发 电流
✽
2
门 非-触发 电压
热的 阻抗
核心的-比率 的 上升 的 止-状态
commutating 电压
测试 情况
T
j
=150
°
c, v
DRM
应用
T
c
=25
°
c, i
TM
=4.5a, instantaneous 度量
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, r
L
=6
Ω
, r
G
=330
Ω
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, r
L
=6
Ω
, r
G
=330
Ω
T
j
=125
°
c/150
°
c, v
D
=1/2v
DRM
接合面 至 情况
✽
3
T
j
=125
°
c/150
°
C
单位
毫安
V
V
V
V
毫安
毫安
毫安
V
°
c/W
v/
µ
s
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
!
@
#
!
@
#
电的 特性
限制
最小值
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2/0.1
—
5/1
最大值
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
20
✽
5
20
✽
5
20
✽
5
—
4.5
—
✽
2. 度量 使用 这 门 触发 特性 度量 电路.
✽
3. 这 联系 热的 阻抗 r
th (c-f)
在 情况 的 greasing 是 0.5
°
c/w.
✽
4. 测试 情况 的 这 核心的-比率 的 上升 的 止-状态 commutating 电压 是 显示 在 这 表格 在下.
✽
5. 高 敏锐的 (i
GT
≤
10ma) 是 也 有. (i
GT
item
1
)
效能 曲线
测试 情况
commutating 电压 和 电流 波形
(inductive 加载)
1. 接合面 温度
T
j
=125
°
c/150
°
C
2. 比率 的 decay 的 在-状态 commutating 电流
(di/dt)
c
=
–
1.5a/ms
3. 顶峰 止-状态 电压
V
D
=400V
这 产品 有保证的 最大 接合面
温度 150
°
c (看 警告.)
0.5 1.5 2.5 3.51.0 2.0 3.0 4.0
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
10
0
23 5710
1
23 5710
2
44
30
35
20
25
10
15
5
40
0
最大 在-状态 特性
在-状态 电流 (一个)
在-状态 电压 (v)
评估 surge 在-状态 电流
surge 在-状态 电流 (一个)
传导 时间
(循环 在 60hz)
✽
4
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