三月. 2002
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
BCR3PM
低 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
这 产品 有保证的 最大 接合面
温度 150
°
c (看 警告.)
160
120
100
60
20
0
4.00
0.5 1.5 2.5 3.5
40
80
140
1.0 2.0 3.0
10
0
2310
0
5710
1
23 5710
2
23 5710
3
7
5
3
2
10
1
7
5
3
5
2
7
5
10
–1
3
2
V
GD
= 0.1v
I
fgt i,
I
rgt iii
I
rgt i
V
GT
P
g(av)
= 0.3w
P
GM
= 3w
I
GM
=
0.5a
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
4.0
4.5
5.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2310
2
5710
3
23 57
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
4.5
3.5
2.5
1.5
0.5
0
4.00
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
10
1
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
4
4
3
2
–60 –20 20 60 100 160140–40 0 40 80 120
I
fgt i,
I
rgt i
I
rgt iii
–60 –20 20 60 100 160140–40 0 40 80 120
10
1
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
4
4
门 电压 (v)
门 电流 (毫安)
典型 例子
门 触发 电流 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c)
100 (%)
门 触发 电流 (t
j
= t
°
c)
门 触发 电流 (t
j
= 25
°
c)
典型 例子
门 触发 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c)
100 (%)
门 触发 电压
(
T
j
= t
°
C
)
门 触发 电压
(
T
j
= 25
°
C
)
最大 瞬时 热的
阻抗 特性
(接合面 至 情况)
瞬时 热的 阻抗 (
°
c/w)
传导 时间
(循环 在 60hz)
360
°
传导
resistive,
INDUCTIVE
负载
最大 在-状态 电源
消耗
在-状态 电源 消耗 (w)
rms 在-状态 电流 (一个)
曲线 应用
REGARDLESS
的 传导 角度
360
°
传导
resistive,
INDUCTIVE
负载
容许的 情况 温度
vs. rms 在-状态 电流
情况 温度 (
°
c)
rms 在-状态 电流 (一个)
门 特性
(
Ι
,
ΙΙ
和
ΙΙΙ
)
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