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资料编号:1098245
 
资料名称:2SC5480
 
文件大小: 34207K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused Horizntal Deflection Output
 
 


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2SC5480
2
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 发射级 电压 V
CES
1500 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
5V
集电级 电流 I
C
14 一个
集电级 顶峰 电流 i
c(顶峰)
28 一个
集电级 电源 消耗 P
C
Note1
50 W
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
集电级 至 发射级 二极管 向前 电流 I
D
14 一个
便条: 1. 值 在 tc = 25
°
C
电的 特性
(ta = 25
°
c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
5 ——V I
E
= 500ma, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CES
500
µ
AV
CE
= 1500v, r
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE1
5 25 V
CE
= 5 v, i
C
= 1a
直流 电流 转移 比率 h
FE2
4—7 V
CE
= 5 v, i
C
= 10a
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
——5 V I
C
= 10a, i
B
= 2.5a
根基 至 发射级 饱和
电压
V
是(sat)
1.5 V I
C
= 10a, i
B
= 2.5a
集电级 至 发射级 二极管
向前 电压
V
ECF
——2 V I
F
= 14a
下降 时间 t
f
0.2 0.4
µ
sI
CP
= 7a, i
B1
= 2.4a
f
H
= 31.5khz
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