rev. c –9–
AD420
微处理器 接口 秒
TION
ad420 至 mc68hc11 (spi 总线) 接口
这 ad420 接口 至 这 motorola spi (串行 附带的 在-
terface) 是 显示 在 图示 10. 这 mosi, sck, 和
SS
管脚 的
这 hc11 是 各自 连接 至 这 数据 在,
时钟, 和 获得 管脚 的 这 ad420. 这 majority 的 这
接合 issues 是 完毕 在 这 软件 initialization. 一个 typi-
cal routine 此类 作 这 一个 显示 在下 begins 用 initializing
这 状态 的 这 各种各样的 spi 数据 和 控制 寄存器.
INIT LDAA #$2F ;
SS
= 1; sck = 0; mosi = 1
STAA PORTD ;send 至 spi 输出
LDAA #$38 ;
SS
, sck,mosi = 输出
STAA DDRD ;send 数据 方向 信息
LDAA #$50 ;dabl intrpts,spi 是 主控 &放大; 在
STAA SPCR ;cpol = 0, cpha = 0, 1mhz baudrate
NEXTPT LDAA MSBY ;加载 accum w/upper 8 位
BSR SENDAT ;jump 至 dac 输出 routine
JMP NEXTPT ;极大的 循环
SENDAT LDY #$1000 ;要点 在 在-碎片 寄存器
BCLR $08,y,$20 ;驱动
SS
(获得) 低
STAA SPDR ;send ms-字节 至 spi 数据 reg
WAIT1 LDAA SPSR ;审查 状态 的 spie
BPL WAIT1 ;poll 为 终止 的 x-使命
LDAA LSBY ;得到 低 8 位 从 记忆
STAA SPDR ;send ls-字节 至 spi 数据 reg
WAIT2 LDAA SPSR ;审查 状态 的 spie
BPL wait2; ;poll 为 终止 的 x-使命
BSET $08,y,$20 ;驱动
SS
高 至 获得 数据
RTS
这 spi 数据 端口 是 配置 至 处理 数据 在 8-位 字节.
这 大多数 重大的 数据 字节 (msby) 是 retrieved 从
记忆 和 processed 用 这 sendat routine. 这
SS
管脚 是
驱动 低 用 indexing 在 这 portd 数据 寄存器 和 clear
位 5. 这 msby 是 然后 sent 至 这 spi 数据 寄存器 在哪里 它 是
automatically transferred 至 这 ad420 内部的 变换 resister.
这 hc11 发生 这 requisite 第八 时钟 脉冲 和 数据
有效的 在 这 rising edges. 之后 这 msby 是 transmitted, 这
least 重大的 字节 (lsby) 是 承载 从 记忆 和 trans-
mitted 在 一个 类似的 fashion. 至 完全 这 转移, 这
获得 管脚 是 驱动 高 当 加载 这 完全 16-位
文字 在 这 ad420.
数据 在
时钟
获得
MOSI
SCK
SS
AD420
68HC11
图示 10. ad420 至 68hc11 (spi) 接口
ad420 至 microwire 接口
这 有伸缩性的 串行 接口 的 这 ad420 是 也 兼容
和 这 国家的 半导体 microwire 接口. 这
microwire 接口 是 使用 在 微控制器 此类 作 这
cop400 和 cop800 序列 的 processors. 一个 generic 接口
至 使用 这 microwire 接口 是 显示 在 图示 11. 这
g1, sk, 和 所以 管脚 的 这 microwire 接口 是 respec-
tively 连接 至 这 获得, 时钟, 和 数据 在 管脚
的 这 ad420.
数据 在
时钟
获得
所以
SK
AD420
MICROWIRE
G1
图示 11. ad420 至 microwire 接口
外部 boost 函数
这 外部 boost 晶体管 减少 这 电源 dissipated 在
这 ad420 用 减少 这 电流 流 在 这 在-碎片
输出 晶体管 (dividing 它 用 这 电流 增益 的 这 外部
电路). 一个 分离的 npn 晶体管 和 一个 损坏 电压,
BV
CEO
, 更好 比 32 v 能 是 使用 作 显示 在 图示 12.
BOOST
I
输出
RLOAD
AD420
19
18
MJD31C
或者
2N3053
1k
Ω
0.022µf
图示 12. 外部 boost 配置
这 外部 boost 能力 有 被 开发 为 那些 用户
who 将 wish 至 使用 这 ad420, 在 这 soic 包装, 在 这
extremes 的 这 供应 电压, 加载 电流, 和 温度
范围. 这 pdip 包装 (因为 的 它的 更小的 热的 resis-
tance) 将 运作 safely 在 这 全部 指定 电压, tem-
perature, 和 加载 电流 范围 没有 这 boost 晶体管.
这 plot 在 图示 13 显示 这 safe 运行 区域 为 两个都
包装 类型. 这 boost 晶体管 能 也 是 使用 至 减少
这 数量 的 温度 induced 逐渐变化 在 这 部分. 这个 将
降低 这 温度 induced 逐渐变化 的 这 在-碎片 电压
涉及, 这个 改进 逐渐变化 和 线性.
V
CC
28V
20V
12V
4V
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100
温度 –
°
C
25V
当 使用 soic packaged 设备, 一个
外部 boost 晶体管 是 必需的
为 运作 在 这个 范围
ad420 或者 ad420-32
32V
图示 13. safe 运行 区域
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