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高纹波抑制率 低压差型高输出电流
CMOS
电压稳压器
rev.3.0
_00
s-1170
系列
精工电子有限公司
13

工作说明
1.
基本工作
图
12
所示为
s-1170
系列的框图。
误差放大器根据反馈电阻
R
s
及
R
f
所构成的输出电压的分压电阻
V
fb
同基准电压
(v
ref
)
相比较。通过此误差放
大器向输出晶体管提供必要的门极电压，而使输出电压不受输入电压或温度变化的影响而保持一定。
基准电压电路
VOUT
*1
*1.
寄生二极管
VSS
VIN
R
s
R
f
误差放大器
恒流电源
V
ref
−
+
V
fb
图
12
2.
输出晶体管
s-1170
系列的输出晶体管，采用了低通态电阻的
P
沟道
mos 场效应晶体管
晶体管。
在晶体管的构造上，因在
VIN
−
VOUT
端子间存在有寄生二极管，所以当
V
输出
的电位高于
V
在
时，有可能因
逆流电流而导致
IC
被毁坏。因此，请注意
V
输出
不要超过
V
在
+
0.3 v
以上。

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高纹波抑制率低压差型高输出电流 CMOS 电压稳压器 rev.3.0 _00 s-1170 系列精工电子有限公司 13  工作说明 1. 基本工作图 12 所示为 s-1170 系列的框图。误差放大器根据反馈电阻 R s 及 R f 所构成的输出电压的分压电阻 V fb 同基准电压 (v ref ) 相比较。通过此误差放大器向输出晶体管提供必要的门极电压，而使输出电压不受输入电压或温度变化的影响而保持一定。基准电压电路 VOUT 1 1. 寄生二极管 VSS VIN R s R f 误差放大器恒流电源 V ref − + V fb 图 12 2. 输出晶体管 s-1170 系列的输出晶体管，采用了低通态电阻的 P 沟道 mos 场效应晶体管晶体管。在晶体管的构造上，因在 VIN − VOUT 端子间存在有寄生二极管，所以当 V 输出的电位高于 V 在时，有可能因逆流电流而导致 IC 被毁坏。因此，请注意 V 输出不要超过 V 在 + 0.3 v 以上。

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