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资料编号:1101164
 
资料名称:1MBI600U4B-120
 
文件大小: 419K
   
说明
 
介绍:
IGBT MODULE
 
 


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h04-004-03a
MS5F6062
13
一个
9
动态 门 承担 (典型值.)电容 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
vge=0v, f=1mhz, tj=25
o
C
vcc=600v, ic=600a,
Tj=25
o
C
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
Tj=25
o
c / 碎片
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
Tj=125
o
c / 碎片
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
vge=15v / 碎片
集电级-发射级 电压 vs. 门-发射级 电压 (典型值.)
Tj=25
o
c / 碎片
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0 1 2 3 4 5
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
集电级 电流 : ic [ 一个 ]
8V
10V
12V15VVGE=20V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0 1 2 3 4 5
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
集电级 电流 : ic [a ]
8V
10V
12V15VVGE=20V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0 1 2 3 4 5
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
集电级 电流 : ic [ 一个 ]
Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
0
2
4
6
8
10
5 10 15 20 25
门-发射级 电压 : vge [ v ]
Ic=300A
Ic=600A
Ic=1200A
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
1.0
10.0
100.0
0 10 20 30
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
Cies
电容 : cies, coes, cres [ nf ]
Coes
Cres
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
门 承担 : qg [ nc ]
集电级- 发射级 电压 : vce[ 200v/div ]
门-发射级 电压 : vge [ 5v/div ]
VGE
VCE
0
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