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资料编号:1101165
 
资料名称:1MBI600U4-120
 
文件大小: 419K
   
说明
 
介绍:
IGBT MODULE
 
 


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h04-004-03a
MS5F6062
13
一个
4
存储 温度
terminals (*3) 11.0
-
Tj=25
o
C
反转 恢复 时间
含铅的 阻抗,
终端-碎片 (*5)
-
- 0.35
挂载 (*2)
terminals (*4)
(*5) biggest 内部的 终端 阻抗 among arm.
输入 电容
转变-在 时间
2.05
IF=600A -
Tj=125
o
C
ems
(*3) recommendable 值 : terminals 10.0 至 11.0 nm (m8)
(*4) recommendable 值 : terminals 1.3 至 1.7 nm (m4)
0.30 - m
Ω
trr 美国
r 含铅的
1.90
V
- 2.00 -
- 1.65 1.80
1.75 -
-
VF
(终端)
IF=600A
Tj=25
o
C
VGE=0V
Tj=125
o
C
VF
(碎片)
0.41 1.00
tf - 0.07 0.30
toff rg=1.1
Ω
-
-
tr Ic=600A - 0.10
nF
ton Vcc=600V - 0.32 1.20
美国
Cies
0.60
VGE=±15V
2.05
2.10 -
67 -
V
Ic=600mA
vge(th)
VCE=20V
4.5 6.5 8.5
8.0
VGE=0V
VCE=1200V
VCE=0V
- - 1600
VGE=±20V
VAC
ConditisSymbols
typ. max.
Characteristics
min.
4.5
1.7
一个
-ic
1200
-ic 脉冲波
800
门-发射级 电压
集电级 电流
Ic 持续的
1ms
Tc=25
o
C
Icp 1ms
Tc=80
o
C
V
-
- 2.20 2.35
-
2.40 -
- 1.90
W
集电级-发射级 电压
毫安
(*2) recommendable 值 : 挂载 3.5 至 4.5 nm (m6)
Pc
n m
(*1) 所有 terminals 应当 是 连接 一起 当 分开 测试 将 是 完毕.
接合面 温度
o
C
V
Units
600
1200
+150
600
3570
4. electricalcharacteristics( 在Tj= 25
o
c unlessotherwise specified)
集电级 电源 消耗 1 设备
Tj
nA
分开
电压
Viso
零 门 电压
集电级 电流
门-发射级
泄漏 电流
门-发射级
门槛 电压
-40 至 +125
Tj=125
o
C
Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
Tj=25
o
C
交流 : 1min. 2500
- -
Tstg
Ic=600A
VGE=15V
vce=10v,vge=0v,f=1mhz
在 终端 和 铜 根基 (*1)
-
- 0.03
Conditis
1600
Tc=80
o
C
Tc=25
o
C
3. absolute maximumRatings( 在Tc= 25
o
c unlessotherwise specified)
最大值imum
Ratings
VGES
Units
V±20
VCES 1200
Symbols
IGES
ems
ICES
转变-止 时间
向前 在 电压
集电级-发射级
饱和 电压
vce(sat)
(碎片)
vce(sat)
(终端)
tr(i)
Screw
Torque
-
aa
一个
一个
一个
一个
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