igbt 单元
7MBR50U2A060
vcc=300v, ic=20a, tj= 25°cvge=0v, f= 1mhz, tj= 25°c
电容 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.) 动态 门 承担 (典型值.)
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
tj= 25°c / 碎片
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
vge=15v / 碎片 tj=25°c / 碎片
[ brake ] [ brake ]
集电级-发射级 电压 vs. 门-发射级 电压 (典型值.)
[ brake ] [ brake ]
[ brake ] [ brake ]
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
tj= 125°c / 碎片
0
10
20
30
40
50
012345
集电级 电流 : ic [a]
集电级-发射级 电压 : vce [v]
VGE=20V 15V 12V
10V
8V
0
10
20
30
40
50
012345
集电级 电流 : ic [a]
集电级-发射级 电压 : vce [v]
VGE=20V 15V 12V
10V
8V
0
10
20
30
40
50
01234
集电级 电流 : ic [a]
集电级-发射级 电压 : vce [v]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5 10152025
集电级 - 发射级 电压 : vce [ v ]
门 - 发射级 电压 : vge [ v ]
Ic=40A
Ic=20A
Ic=10A
0.01
0.10
1.00
10.00
0102030
电容 : cies, coes, cres [ nf ]
集电级-发射级 电压 : vce [v]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
04080120
0
5
10
15
20
25
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
门 承担 : qg [ nc ]
VGE
VCE
门 - 发射级 电压 : vge [ v ]