igbt 单元
7MBR50U2A060
特性 (代表)
vcc=300v, ic=50a, tj= 25°cvge=0v, f= 1mhz, tj= 25°c
电容 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.) 动态 门 承担 (典型值.)
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
tj= 25°c / 碎片
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
vge=15v / 碎片 tj=25°c / 碎片
[ 反相器] [ 反相器]
集电级-发射级 电压 vs. 门-发射级 电压 (典型值.)
[ 反相器] [ 反相器]
[ 反相器] [ 反相器]
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
tj= 125°c / 碎片
0
20
40
60
80
100
120
012345
集电级 电流 : ic [ 一个 ]
集电级-发射级 电压 : vce [v]
VGE=20V 15V 12V
10V
8V
0
20
40
60
80
100
120
012345
Collector 电流 : ic [ 一个 ]
集电级-发射级 电压 : vce [v]
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
20
40
60
80
100
120
01234
集电级 电流 : ic [ 一个 ]
集电级-发射级 电压 : vce [v]
Tj=125°CTj=25°C
0
2
4
6
8
10
5 10152025
集电级 - 发射级 电压 : vce [ v ]
门 - 发射级 电压 : vge [ v ]
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0.01
0.10
1.00
10.00
0102030
capacitanse : cies, coes, cres [ nf]
集电级-发射级 电压 : vce [v]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
0 50 100 150 200 250
0
5
10
15
20
25
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
门 承担 : qg [ nc ]
0
VGE
VCE
门 - 发射级 voltage : vge [ v ]
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