7MBP75RJ120 igbt-ipm
主要的 电路 特性 (respresentative)
0
20
40
60
80
100
120
00.511.522.53
Collectorcurrent vs. collector-emitter voltage
Tj=25
°c(
碎片)
集电级 电流 : ic (一个)
C olle ct 或者- Emitt ervo lta ge : v ce ( v)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
0
20
40
60
80
100
120
00.511.522.53
Collectorcurrent vs. collector-emitter voltage
Tj=25
°c(
终端)
集电级 电流: ic (一个)
C olle ct 或者- Emitt ervo ltage : v ce ( v)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
0
20
40
60
80
100
120
00.511.522.53
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
Co llectorcurrent vs. collector-emitter voltage
Tj=125
°c(
碎片)
集电级 电流 : ic (一个)
C olle ct 或者- Emitt ervo lta ge : v ce ( v)
0
20
40
60
80
100
120
00.511.522.53
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
Co llectorcurrent vs. collector-emitter voltage
Tj=125
°C
(终端)
集电级 电流 : ic (一个)
C ollect 或者 -em它 ter vo lta ge: v ce ( v)
0
20
40
60
80
100
120
00.511.522.53
Forward current vs . forward 电压
(chip)
向前 电流 : 如果 (一个)
向前 电压 : vf (v)
125°C
25°C
0
20
40
60
80
100
120
00.511.522.53
Forward current vs . forward 电压
(终端)
向前 电流 : 如果 (一个)
向前 电压 : vf (v)
125°C
25°C