tc125/tc126
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2006 微芯 技术 公司
3.0 详细地 描述
这 tc125/126 是 pfm 步伐-向上 直流/直流 regulators 为
使用 在 系统 运行 从 二 或者 更多 cells 或者 在
低 电压, 线条 powered 产品. 因为 脉冲波
频率 调制 (pfm) 是 使用, 这 tc125/126
切换 频率 (和 therefore 供应 电流) 是
使减少到最低限度 在 低 输出 负载. 这个 是 特别
重要的 在 电池 运作 产品 (此类 作
pagers) 那 运作 在 备用物品 模式 大多数 的 这 时间.
为 例子, 一个 tc125/126 和 一个 3v 输出 和 非
加载 将 consume 一个 最大 供应 电流 的 仅有的
10
µ
一个 相比 一个 供应 电流 的 40
µ
一个 最大
当 i
输出
= 30 毫安. 两个都 设备 需要 仅有的 一个
外部 inductor, 二极管 和 电容 至 执行 一个
完全 直流/直流 转换器.
这 tc125 是 推荐 为 产品 需要
关闭 模式 作 一个 意思 的 减少 系统 供应
电流. 这 tc125 是 powered 从 这 ps 输入,
这个 必须 是 连接 至 这 管制 输出 作
显示 在 图示 3-1. ps 也 senses 输出 电压 为
关闭-循环 规章制度. 开始-向上 电流 是 陈设
通过 这 inductor 当 输入 电压 是 initially
应用. 这个 action 开始 这 振荡器, 造成 这
电压 在 这 ps 输入 至 上升, bootstrapping 这
调整器 在 全部 运作.
这 tc126 (图示 3-2) 是 推荐 为 所有 appli-
cations 不 需要 关闭 模式. 它 有 独立的
V
DD
和 sense 输入, 准许 它 至 是 powered 从
任何 源 的 2.2v 至 10v 在 这 系统. 这 v
DD
输入
的 这 tc126 将 是 连接 至 这 v
在
, v
输出
, 或者 一个
外部 直流 电压. 更小的 值 的 v
DD
结果 在
更小的 供应 电流, 但是 更小的 效率 预定的 至 高等级的
转变 在 阻抗. 高等级的 v
DD
值 增加
供应 电流, 但是 驱动 这 内部的 切换
晶体管 harder (lowering rds
在
), 因此 增加
效率.
3.1 低-电源 关闭 模式
这 tc125 enters 一个 低-电源 关闭 模式 当
SHDN
是 brought 低. 当 在 关闭, 这 振荡器
是 无能 和 这 内部的 转变 是 shut 止. 正常的
调整器 运作 重新开始 当 shdn是 brought
高. 因为 这 tc125 使用 一个 外部 二极管, 一个
泄漏 path 在 这 输入 电压 和 这 输出
node (通过 这 inductor 和 二极管) exists 当 这
调整器 是 在 关闭. 小心 必须 是 带去 在 系统
设计 至 使确信 这 输入 供应 是 分开的 从 这
加载 在 关闭.
3.2 行为 当 v
在
是 更好
比 这 工厂-编写程序
输出 设置
这 tc125 和 tc126 是 设计 至 运作 作
步伐-向上 regulators 仅有的. 作 此类, v
在
是 assumed 至
总是 是 较少 比 这 工厂-编写程序 输出
电压 设置 (v
R
). 运行 这 tc125/126 和
V
在
> v
R
导致 regulating action 至 是 suspended
(和 相应的 供应 电流 减少) 直到 v
在
是 又一次 较少 比 v
R
. 当 regulating action 是
suspended, v
在
是 连接 至 这 输出 电压 node
通过 这 序列 结合体 的 这 inductor 和
肖特基 二极管. 又一次, 小心 必须 是 带去 至 增加 这
适合的 分开 (场效应晶体管 序列 转变 或者 邮递
ldo 和 关闭) 在 系统 设计 如果 这个 v
在
/
V
输出
泄漏 path 是 problematic.
图示 3-1:
典型 tc125 电路
图示 3-2:
典型 tc126 电路
L1
100
µ
h sumida cd54
D1
MA735
关闭
控制
1
2
3
5
4
TC125
LX
SHDN NCPS
地
1.5v
在 止
V
输出
3.3v @40 毫安
C
1
47
µ
f/16v
Tantalum
+
1
2 3
4 5
TC126
LX
SENSE
NC
V
DD
地
3.3v
线条
供应
L1
100
µ
h sumida cd54
D1
MA735
V
输出
5v @80 毫安
C
1
47
µ
f/16v
Tantalum
+
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