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资料编号:1101443
 
资料名称:TC1015-xxVCT
 
文件大小: 272K
   
说明
 
介绍:
50mA, 100mA and 150mA CMOS LDOs with Shutdown and Reference Bypass
 
 


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TC1025
ds21656c-页 2
©
2005 微芯 技术 公司
1.0 电的
特性
绝对 最大 ratings*
供应 电压 ......................................................6.0v
电压 在 任何 管脚 ..........(v
SS
– 0.3v) 至 (v
DD
+ 0.3v)
接合面 温度....................................... +150°C
运行 温度 范围.............-40°c 至 +85°c
存储 温度 范围 ..............-55°c 至 +150°c
*stresses 在之上 那些 列表 下面 "绝对 最大
比率" 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些
是 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备
在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这
运作 sections 的 这 规格ifications 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
tc1025 电的 规格
电的 特性:
典型 值 应用 在 25°c 和 v
DD
= 3.0v. 最小 和 最大 值 应用 为 t
一个
= -40° 至
+85°c, 和 v
DD
= 1.8v 至 5.5v, unless 否则 指定.
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
V
DD
供应 电压 1.8 5.5 V
I
Q
供应 电流 8 12
µ
一个
比较器
V
ICMR
一般 模式 输入 范围 V
SS
– 0.2 V
DD
+ 0.2 V
V
OS
输入 补偿 电压 -5
-5
—+5
+5
mV
mV
V
DD
= 3v, v
CM
= 1.5v, t
一个
= 25°c
I
B
输入 偏差 电流 -100 100 pA T
一个
= 25°c, in+,在- = v
DD
至 v
SS
V
OH
输出 高 电压 V
DD
– 0.3 V R
L
= 10k
至 v
SS
V
OL
输出 低 电压 0.3 V R
L
= 10k
至 v
DD
CMRR 一般 模式 拒绝 比率 66 dB T
一个
= 25°c, v
DD
= 5v
V
CM
= v
DD
至 v
SS
PSRR 电源 供应 拒绝 比率 60 dB T
一个
= 25°c, v
CM
= 1.2v
V
DD
= 1.8v 至 5v
I
SRC
输出 源 电流 1 毫安 in+ = v
DD
, 在- = v
SS
,
输出 短接 至 v
SS
V
DD
= 1.8v
I
下沉
输出 下沉 电流 2 毫安 in+ = v
SS
, 在- = v
DD
,
输出 短接 至 v
DD
V
DD
= 1.8v
t
PD1
回馈 时间 4
µ
100mv overdrive, c
L
= 100pf
t
PD2
回馈 时间 6
µ
10mv overdrive, c
L
= 100pf
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