igbt 单元
7MBR75U2B060
特性 (代表)
vcc=300v, ic=75a, tj= 25°cvge=0v, f= 1mhz, tj= 25°c
电容 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.) 动态 门 承担 (典型值.)
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
tj= 25°c / 碎片
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
vge=15v / 碎片 tj=25°c / 碎片
[ 反相器 ] [ 反相器 ]
集电级-发射级 电压 vs. 门-发射级 电压 (典型值.)
[ 反相器 ] [ 反相器 ]
[ 反相器 ] [ 反相器 ]
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压 (典型值.)
tj= 125°c / 碎片
0
25
50
75
100
125
150
175
012345
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
colector 电流 : ic [ 一个 ]
VGE=20V 15V 12V
10V
8V
0
25
50
75
100
125
150
175
012345
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
集电级 电流 : ic [ 一个 ]
VGE=20V 15V 12V
10V
8V
0
25
50
75
100
125
150
175
01234
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
集电级 电流 : ic [ 一个 ]
Tj=125°CTj=25°C
0
2
4
6
8
10
5 10152025
门-发射级 电压 : vge [ v ]
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
Ic=150A
Ic=75A
ic=37.5a
0.01
0.10
1.00
10.00
0102030
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
电容 : cies, coes, cres [ nf ]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
0 50 100 150 200 250 300
门 承担 : qg [ nc ]
0
5
10
15
20
25
门-发射级 电压 : vge [ v ]
集电级-发射级 电压 : vce [ v ]
VGE
VCE