6MBP50TEA060 igbt-ipm
主要的 电路 特性 (respresentative)
0
10
20
30
40
50
60
00.511.522.53
集电级 current vs. collector-emittervoltage
Tj=25
°C
(碎片)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
集电级 current : ic (一个)
集电级-发射级 电压 : vce (v)
0
10
20
30
40
50
60
00.511.522.53
Collector current vs. 集电级-emitter 电压
tj=25°c(终端)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
Collec 至r cu rre nt: ic (一个)
集电级-发射级 电压 : vce (v)
0
10
20
30
40
50
60
00.511.522.53
集电级 current vs. collector-em itter voltage
tj=125°c(碎片)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
集电级 current: ic (一个)
集电级-发射级 电压 : vce (v)
0
10
20
30
40
50
60
00.511.522.53
集电级 currentvs. collector-emittervoltage
tj=125°c(终端)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
集电级 current: ic (一个)
集电级-发射级 电压 : vce (v)
0
20
40
60
80
100
00.511.522.5
向前 电流 vs. 向前 电压
(碎片)
125°C
25°C
Forw ard current :如果(一个)
向前 电压 :vf (v)
0
20
40
60
80
100
00.511.522.5
向前 电流 vs. 向前 电压
(终端)
125°C
25°C
Forward 电流 : 如果 (一个)
向前 电压 :vf (v)