6MBP50RJ120 igbt-ipm
主要的 电路 特性 (respresentative)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
00.511.522.53
Colle ctorcurrent vs. collector-emitter voltage
Tj=25
°C
(c hip)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
集电级 电流 : ic (一个)
集电级-发射级 电压 : vce (v)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 0 .5 1 1 .5 2 2.5 3
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压
Tj=25
°c (终端)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
集电级 电流: ic (一个)
C ollector-em它ter vo lta ge : v ce ( v)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
00.511.522.53
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压
Tj=125
°C
(chip)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
集电级 电流: ic (一个)
C olle ct 或者- Emitt er vo lta ge : v ce ( v)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
00.511.522.53
集电级 电流 vs. 集电级-发射级 电压
Tj=125
°c (终端)
Vcc=13V
Vcc=15V
Vcc=17V
集电级 电流 : ic (一个)
集电级-发射级 电压 : vce (v)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
00.511.522.5
Forward current vs. forward 电压
(chip)
125°C 25°C
向前 电流 : 如果 (一个)
向前 电压 : vf (v)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
00.511.522.53
Forward current vs. forward 电压
(terminal)
125°C
25°C
向前 电流 : 如果 (一个)
向前 电压 : vf (v)