dim1200ddm17-e000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序.
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图. 7 二极管 典型 向前 特性
图. 8 igbt 反转 偏差 safe 运行 范围
图. 9 diode 反转 偏差 safe 运行 范围
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2600
2400
2800
0 400 800
1200
1600
2000
集电级-发射级 电压, v
ce
- (v)
集电级 电流, i
C
- (一个)
T
情况
= 125˚c
V
ge
= ±15v
R
g(最小值)
= 1.5 ohms
单元
碎片
图. 10瞬时 热的 阻抗
1
0.1
10
100
0.001 0.01 10.1
10
脉冲波 宽度, t
p
- (s)
瞬时 热的 阻抗, z
th (j-c)
- (°c/kw )
igbt r
i
(
˚
c/kw)
t
i
(ms)
二极管 r
i
(
˚
c/kw)
t
i
(ms)
1
0.56
0.12
1.23
0.11
2
4.00
3.89
9.26
4.24
3
5.64
47.15
12.96
48.75
4
7.81
257.21
16.53
256.75
二极管
晶体管
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
向前 电压, v
F
- (v)
向前 电流, i
F
- (一个)
T
j
= 25˚c
T
j
= 125˚c
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
反转 电压, v
r
- (v)
反转 恢复 电流, i
rr
- (一个)
T
j
= 125˚c
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