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半导体
dim800ecm33-f000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序
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电的 特性
T
情况
= 25°c 除非 陈述 否则.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
ces
集电级 截-止 电流 V
GE
= ov, v
CE
= v
CES
- - 4 毫安
V
GE
= ov, v
CE
= v
CES
, t
情况
= 125°c - - 60 毫安
I
ces
门 泄漏 电流 V
GE
= ±20v, v
CE
= 0v - - 1 µA
V
ge(th)
门 门槛 电压 I
C
= 80ma, v
GE
= v
CE
5.5 6.5 7.0 V
V
ce(sat)
 
集电级-发射级 饱和 电压 V
GE
= 15v, i
C
= 800a - 2.8 V
V
GE
= 15v, i
C
= 800a, t
情况
= 125°c - 3.6 - V
I
F
二极管 向前 电流 直流 - 800 - 一个
I
FM
二极管 最大 向前 电流 t
p
= 1ms - 1600 - 一个
V
F
 
二极管 向前 电压 I
F
= 800a - 2.9 - V
I
F
= 800a, t
情况
= 125°c - 3.0 - V
C
ies
输入 电容 V
CE
= 25v, v
GE
= 0v, f = 1mhz 144 - nF
C
res
反转 转移 电容 V
CE
= 25v, v
GE
= 0v, f = 1mhz - 2.2 - nF
L
M
单元 电感 - - 15 - nH
R
INT
内部的 晶体管 阻抗 - - 0.135 -
m
Ω
SC
数据
短的 电路. i
sc
T
j
= 125°c, v
cc
= 2500v, I
1
- 4000 - 一个
t
p
≤
10µs, v
ce(最大值)
=
V
CES
- l*.di/dt
I
2
- 3700 - 一个
iec 60747-9
便条:
 
量过的 在 这 auxiliary terminals
* l 是 这 电路 电感 + l
M

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半导体 dim800ecm33-f000 提醒: 这个设备是敏感的至静电的释放. 用户应当 follow 静电释放处理程序 4 / 9 www.dynexsemi.com 电的特性 T 情况 = 25°c 除非陈述否则. 标识参数测试情况最小值典型值最大值单位 I ces 集电级截-止电流 V GE = ov, v CE = v CES - - 4 毫安 V GE = ov, v CE = v CES , t 情况 = 125°c - - 60 毫安 I ces 门泄漏电流 V GE = ±20v, v CE = 0v - - 1 µA V ge(th) 门门槛电压 I C = 80ma, v GE = v CE 5.5 6.5 7.0 V V ce(sat) 集电级-发射级饱和电压 V GE = 15v, i C = 800a - 2.8 V V GE = 15v, i C = 800a, t 情况 = 125°c - 3.6 - V I F 二极管向前电流直流 - 800 - 一个 I FM 二极管最大向前电流 t p = 1ms - 1600 - 一个 V F 二极管向前电压 I F = 800a - 2.9 - V I F = 800a, t 情况 = 125°c - 3.0 - V C ies 输入电容 V CE = 25v, v GE = 0v, f = 1mhz 144 - nF C res 反转转移电容 V CE = 25v, v GE = 0v, f = 1mhz - 2.2 - nF L M 单元电感 - - 15 - nH R INT 内部的晶体管阻抗 - - 0.135 - m Ω SC 数据短的电路. i sc T j = 125°c, v cc = 2500v, I 1 - 4000 - 一个 t p ≤ 10µs, v ce(最大值) = V CES - l.di/dt I 2 - 3700 - 一个 iec 60747-9 便条: 量过的在这 auxiliary terminals l 是这电路电感 + l M

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