半导体
dim800ecm33-f000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序
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电的 特性
T
情况
= 25°c 除非 陈述 否则.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 I
C
= 800a - 2150 - ns
t
f
下降 时间 V
GE
= ±15v - 230 - ns
E
止
转变-止 活力 丧失 V
CE
= 1800v - 1050 - mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
R
g(在)
= 2.7
Ω
, r
g(止)
= 3.9
Ω
- 1300 - ns
t
r
上升 时间
L
∼
100nH
- 275 - ns
E
在
转变-在 活力 丧失 C
ge
= 220nf - 1250 - mJ
Q
g
门 承担 - 20 - µC
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 I
F
= 800a, v
R
= 1800v, - 320 - µC
I
rr
二极管 反转 电流 dl
F
/dt = 4000a/µs - 670 - 一个
E
REC
二极管 反转 恢复 活力 - 300 - mJ
T
情况
= 125°c 除非 陈述 否则.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 I
C
= 800a - 2200 - ns
t
f
下降 时间 V
GE
= ±15v - 240 - ns
E
止
转变-止 活力 丧失 V
CE
= 1800v - 1200 - mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
R
g(在)
= 2.7
Ω
, r
g(止)
= 3.9
Ω
- 1200 - ns
t
r
上升 时间
L
∼
100nH
- 315 - ns
E
在
转变-在 活力 丧失 C
ge
=220nF - 1750 - mJ
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 I
F
= 800a, v
R
= 1800v, - 600 - µC
I
rr
二极管 反转 电流 dl
F
/dt = 4000a/µs - 800 - 一个
E
REC
二极管 反转 恢复 活力 - 600 - mJ
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