dim800ddm17-e000
提醒: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序.
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图. 7 二极管 典型 向前 特性
图. 8 igbt 反转 偏差 safe 运行 范围
图. 9 diode 反转 偏差 safe 运行 范围
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
0 500 1000 1500 2000
集电级-发射级 电压, v
ce
- (v)
集电级 电流, i
C
- (一个)
T
情况
= 125˚c
V
ge
= ±15v
R
g(最小值)
= 2.2 ohms
单元
碎片
图. 10瞬时 热的 阻抗
1
0.1
10
100
0.001 0.01 10.1
10
脉冲波 宽度, t
p
- (s)
瞬时 热的 阻抗, z
th (j-c)
- (°c/kw )
IGBT R
i
(˚c/kw)
t
i
(ms)
二极管 R
i
(˚c/kw)
t
i
(ms)
1
0.84
0.12
1.845
0.11
2
6.0
3.89
13.89
4.24
3
8.46
47.15
19.44
48.75
4
11.715
257.21
24.795
256.75
二极管
晶体管
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
01.02.03.0
向前 电压, v
F
- (v)
向前 电流, i
F
- (一个)
T
j
= 25˚c
T
j
= 125˚c
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
反转 电压, v
r
- (v)
反转 恢复 电流, i
rr
- (一个)
T
j
= 125˚c
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