SEMICONDUCTOR
DIM800DCS12-a000
Caution: thisdevice is sensitive to electrostatic discharge. 用户s should follow esDhandling 程序s
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ELECTRICAl 特性
T
情况
=25° Cunless 状态d otherwise.
Symbol 参数 Test conditions 最小值 典型值 Max. 单位
t
d(off)
转变-offdelay 时间 I
C
=800A - 1250 - ns
t
f
Fall 时间 V
GE
= ±15V - 170 - ns
E
OFF
转变-offenergy loss V
CE
=600V - 130 - mJ
t
d(在)
转变-在 delay 时间
R
g(在)
= r
g(止)
= 2.7
Ω
- 250 - ns
t
r
Rise 时间
L
∼
100nH
- 250 - ns
E
O
转变-在 energy 丧失 - 80 - mJ
Q
g
Gate 承担 - 9 - µC
Q
rr
Diode 反转 recovery charge I
F
= 800A, v
R
= 600v, - 12 - µC
I
rr
Diode reverse current dl
F
/dt= 4200a/µs - 570 - 一个
E
REC
Diode 反转 recovery 活力 Diode arm - 60 - mJ
T
情况
=125° Cunless 状态d otherwise.
Symbol 参数 Test conditions 最小值 典型值 Max. 单位
t
d(off)
转变-offdelay 时间 I
C
=800A - 1500 - ns
t
f
Fall 时间 V
GE
= ±15V - 200 - ns
E
OFF
转变-offenergy loss V
CE
=600V - 160 - mJ
t
d(在)
转变-在 delay 时间
R
g(在)
= r
g(止)
= 2.7
Ω
- 400 - ns
t
r
Rise 时间
L
∼
100nH
- 220 - ns
E
在
转变-在 energy 丧失 - 120 - mJ
Q
rr
Diode 反转 recovery charge I
F
= 800A, v
R
= 600v, - 240 - µC
I
rr
Diode reverse current dl
F
/dt= 4000a/µs - 680 - 一个
E
REC
Diode 反转 recovery 活力 Diode arm - 110 - mJ
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